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邓高强

作品数：43 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 17篇LIGBT
  • 14篇损耗
  • 13篇关断
  • 13篇关断损耗
  • 12篇集电区
  • 11篇阳极
  • 10篇导通
  • 10篇IGBT
  • 9篇导通压降
  • 8篇高阻
  • 8篇半导体
  • 7篇短路
  • 7篇漂移区
  • 6篇电阻
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇半导体器件
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇阴极

机构

  • 43篇电子科技大学

作者

  • 43篇邓高强
  • 42篇罗小蓉
  • 25篇张波
  • 23篇孙涛
  • 19篇魏杰
  • 18篇黄琳华
  • 17篇周坤
  • 9篇刘庆
  • 5篇杨洋
  • 5篇吴俊峰
  • 4篇张森
  • 4篇李聪聪
  • 3篇苏伟
  • 2篇张鹏飞
  • 2篇宋旭
  • 2篇李杰
  • 2篇张彦辉
  • 2篇马达
  • 2篇卢金龙
  • 1篇周全

年份

  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中部形成贯穿P型区且底部...
罗小蓉邓高强周坤刘庆黄琳华孙涛张波
文献传递
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
绝缘栅控高压低损耗功率器件模型与新结构研究
IGBT（Insulated-GateBipolarTransistor）和LDMOSFET（LateralDouble-DiffusedMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...
邓高强
关键词：IGBTLDMOSFET击穿电压绝缘栅
文献传递
一种集成GaN三极管的具有ESD防护功能的GaN HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成GaN三极管的具有ESD防护功能的GaN HEMT器件。本发明基于三极管具有的大电流泄放能力，构成p‑GaN栅层—势垒层及沟道层—p型背势垒层的PNP纵向三极管结构，通过与G...
赵智家张鹏飞魏杰邓高强谢欣桐薛刚骆成涛杨铖毕西豪李江欢罗小蓉
一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比，无高浓度的场截止层，而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时，P型岛区...
罗小蓉赵哲言邓高强黄琳华孙涛张波
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
文献传递
一种短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有交替NP耐压缓冲层结构的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统的短路阳极LIGBT相比，无高浓度的场截止层，而在阳极区域引入交替分布的N型岛区和P型岛区。在正向阻断时，P型岛区...
罗小蓉赵哲言邓高强黄琳华孙涛张波
文献传递
一种逆导型IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种逆导型IGBT。本发明的逆导型IGBT，其技术方案是：在N型高阻半导体材料表面形成P型区，所述P型区表面沿器件横向方向并列交替形成N型发射区和P型体接触区。在N型发射区中具有介质...
罗小蓉邓高强周坤刘庆孙涛黄琳华张波
具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有双层浮空场板和集成MOS自适应控制的SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离，在漂移区表面采用间断的双层浮空...
魏杰卢金龙柳辛迪魏雨夕谭佳蕾戴恺纬邓高强罗小蓉
一种具有双栅的RC-IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双栅RC‑IGBT。本发明相对与传统结构，主要在底部集电区引入第二沟槽栅。新器件正向导通时，由于第二沟槽栅相对于集电极加一负电压，使第二沟槽栅外围形成P反型层，增加了注入面积...
罗小蓉黄琳华邓高强张波
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