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陈亚伟
陈亚伟
作品数:
13
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
化学工程
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合作作者
李恩竹
电子科技大学
张树人
电子科技大学
钟朝位
电子科技大学
周晓华
电子科技大学
冯哲圣
电子科技大学
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作者
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陈亚伟
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李恩竹
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张树人
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钟朝位
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周晓华
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牛娜
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石燕
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邹蒙莹
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一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相,烧结温度1250‑1350℃,介电常数15‑20,损耗介于4.81×10<Sup...
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Ni‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法,材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料,烧结温度适中(1150‑1250℃),介电常数适中(39‑41),损耗低至4....
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
文献传递
一种Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料,为Co<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>0.5</Sub>TaO<Sub>4</...
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
文献传递
一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Ni‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法,材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料,烧结温度适中(1150‑1250℃),介电常数适中(39‑41),损耗低至4....
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
一种Co-Ti-Ta基介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料,为Co<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>0.5</Sub>TaO<Sub>4</...
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
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一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法
本发明涉及一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法,用以制备低介电常数、低密度的PTFE工程材料,尤其用于轻型复合材料领域。本发明利用胶体碳球作为模板的同时,加入表面活性剂CTAB来增加反应效率,在强碱性条件下制备出...
李恩竹
李火军
冯哲圣
陈亚伟
孙怀宝
周晓华
文献传递
一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相,烧结温度1250‑1350℃,介电常数15‑20,损耗介于4.81×10<Sup...
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
文献传递
一种Mg-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种Mg‑Ti‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料,烧结温度1200‑1300℃,介电常数40‑44,损耗低至2.34×10<Sup>‑4</Sup>,晶体结构为...
李恩竹
杨鸿宇
杨鸿程
陈亚伟
钟朝位
张树人
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一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结CNT体系微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷的原料成分为质量百分比39.96%~71.11%的Ca-Nd-Ti(CNT)、质量百分比20.24%~57....
李恩竹
牛娜
陈亚伟
石燕
邹蒙莹
文献传递
中高介Ti基微波介质陶瓷的低温烧结及机理研究
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现元器件向小型化、集成化、高可靠性和低成本发展的重要途径,已成为新一代电子信息制造业的核心技术之一。通讯技术的快速发展对系列化介电常数的中高介电LTCC陶瓷材料提出了更多的需求。尽管目前有...
陈亚伟
关键词:
微波介电性能
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