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杨志辉

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 10篇场效应
  • 8篇半绝缘
  • 8篇4H-SIC
  • 7篇电极
  • 7篇金属半导体
  • 7篇金属半导体场...
  • 7篇晶体管
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体场效应...
  • 7篇场效应晶体管
  • 5篇沟道
  • 4篇频率特性
  • 3篇漏极
  • 3篇半场
  • 2篇乙硼烷
  • 2篇原位掺杂
  • 2篇硼烷
  • 2篇漏极电流
  • 2篇凹陷
  • 2篇掺杂

机构

  • 10篇西安电子科技...

作者

  • 10篇杨志辉
  • 9篇贾护军
  • 4篇柴常春
  • 3篇杨银堂

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管;采用的技术方案为:自下而上设置...
贾护军杨志辉马培苗杨银堂
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上...
贾护军马培苗杨志辉柴常春
一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管;采用的技术方案为:自下而上设置...
贾护军杨志辉马培苗杨银堂
文献传递
一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,N型...
贾护军罗烨辉马培苗杨志辉
文献传递
一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管的制备方法
本发明公开了一种具有部分高浓度掺杂沟道4H?SiC金半场效应管的制备方法;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高浓度掺杂沟道的4H?SiC金属半导体场效应晶体管;采用的技术方案为:在4H?SiC...
贾护军杨志辉马培苗杨银堂
文献传递
一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,N型...
贾护军罗烨辉马培苗杨志辉
文献传递
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法;目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压,改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体...
贾护军马培苗杨志辉柴常春
文献传递
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上...
贾护军马培苗杨志辉柴常春
文献传递
面向高效高功率射频放大器的4H-SiC MESFETs器件设计
基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件设计已经被研究多年。其中4H-SiC MESFET器件因同时具有的高可靠性(未引入栅极氧化层)与高频结构特性(肖特基接触)成为现今广泛研究的微波功率器件结构。对4H-SiC MES...
杨志辉
关键词:场效应器件射频放大器芯片设计
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法;目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压,改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体...
贾护军马培苗杨志辉柴常春
共1页<1>
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