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杨志辉
作品数:
10
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
贾护军
西安电子科技大学
柴常春
西安电子科技大学
杨银堂
西安电子科技大学
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机构
10篇
西安电子科技...
作者
10篇
杨志辉
9篇
贾护军
4篇
柴常春
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杨银堂
年份
3篇
2019
1篇
2018
1篇
2017
4篇
2016
1篇
2015
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一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管;采用的技术方案为:自下而上设置...
贾护军
杨志辉
马培苗
杨银堂
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上...
贾护军
马培苗
杨志辉
柴常春
一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管;采用的技术方案为:自下而上设置...
贾护军
杨志辉
马培苗
杨银堂
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一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,N型...
贾护军
罗烨辉
马培苗
杨志辉
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一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管的制备方法
本发明公开了一种具有部分高浓度掺杂沟道4H?SiC金半场效应管的制备方法;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高浓度掺杂沟道的4H?SiC金属半导体场效应晶体管;采用的技术方案为:在4H?SiC...
贾护军
杨志辉
马培苗
杨银堂
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一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,N型...
贾护军
罗烨辉
马培苗
杨志辉
文献传递
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法;目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压,改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体...
贾护军
马培苗
杨志辉
柴常春
文献传递
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上...
贾护军
马培苗
杨志辉
柴常春
文献传递
面向高效高功率射频放大器的4H-SiC MESFETs器件设计
基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件设计已经被研究多年。其中4H-SiC MESFET器件因同时具有的高可靠性(未引入栅极氧化层)与高频结构特性(肖特基接触)成为现今广泛研究的微波功率器件结构。对4H-SiC MES...
杨志辉
关键词:
场效应器件
射频放大器
芯片设计
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域,特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法;目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压,改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体...
贾护军
马培苗
杨志辉
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