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王子言

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇HG
  • 1篇V
  • 1篇AS

机构

  • 1篇广东工业大学
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇陆卫
  • 1篇陈效双
  • 1篇孙立忠
  • 1篇黄燕
  • 1篇段鹤
  • 1篇王子言

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
As_(Hg)与V_(Hg)在碲镉汞中掺杂行为第一性原理研究被引量：3
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对碲镉汞材料中两种点缺陷Hg空位(VHg),As代Hg位(AsHg)及其复合缺陷(AsHg-VHg,AsHg-2VHg)进行了系统的研究,获得缺陷形成能随费米能级的变化,结合结构与电子特性分析讨论了这些缺陷在As掺杂HgCdTe中的自补偿效应和p型激活途径.
黄燕王子言段鹤陈效双孙立忠陆卫
关键词：碲镉汞第一性原理
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共1页<1>
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