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黄示

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇电子注入
  • 3篇元胞
  • 3篇栅极
  • 3篇栅极结构
  • 3篇漂移区
  • 3篇接触区
  • 3篇快恢复二极管
  • 3篇缓冲层
  • 3篇沟槽
  • 3篇二极管
  • 3篇发射极
  • 3篇IGBT器件
  • 3篇槽栅
  • 2篇介质层
  • 1篇导通
  • 1篇导通损耗
  • 1篇导通压降
  • 1篇阳极
  • 1篇杂质离子
  • 1篇少子寿命

机构

  • 7篇杭州士兰集成...

作者

  • 7篇黄示
  • 6篇韩健
  • 6篇陈琛
  • 1篇王珏
  • 1篇杨彦涛

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
半导体器件制作方法
本发明提供了一种半导体器件制作方法，对硅衬底的背面进行离子辐照处理，以提升半导体器件的阳极杂质的激活率，改善半导体器件的导通压降，降低其导通损耗；并且，通过该离子辐照处理，硅衬底经退火后可以在体内形成额外的复合中心，减少...
顾悦吉王珏杨彦涛黄示
文献传递
IGBT器件及其制作方法
本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以...
韩健顾悦吉黄示陈琛
文献传递
IGBT器件及其制作方法
本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以...
韩健顾悦吉黄示陈琛
快恢复二极管及其制造方法
本申请公开了快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓...
顾悦吉黄示韩健陈琛
文献传递
快恢复二极管
本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所...
顾悦吉黄示韩健陈琛
文献传递
IGBT器件
本实用新型提供了一种IGBT器件，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以在减少平...
韩健顾悦吉黄示陈琛
文献传递
快恢复二极管及其制造方法
本申请公开了快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓...
顾悦吉黄示韩健陈琛
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