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文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 9篇IGBT器件
  • 8篇发射极
  • 6篇二极管
  • 6篇发射区
  • 6篇槽栅
  • 5篇电流
  • 5篇集电极
  • 4篇电阻
  • 3篇电流密度
  • 3篇电压
  • 3篇电子注入
  • 3篇淀积
  • 3篇元胞
  • 3篇栅极
  • 3篇栅极结构
  • 3篇熔断
  • 3篇熔丝
  • 3篇三极管
  • 3篇漂移区
  • 3篇闩锁

机构

  • 20篇杭州士兰集成...

作者

  • 20篇韩健
  • 6篇刘慧勇
  • 6篇黄示
  • 6篇陈琛
  • 6篇杨彦涛
  • 3篇王平
  • 3篇陈文伟
  • 3篇江宇雷
  • 3篇雷辉
  • 3篇王珏
  • 3篇王英杰
  • 3篇徐敏杰
  • 3篇崔建
  • 2篇胡一峰

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
沟槽栅型IGBT器件
本实用新型提供了一种沟槽栅型IGBT器件,该器件包括:N型掺杂的漂移区;P型掺杂的集电区,与漂移区的背面直接或间接地电接触;P型掺杂的基区,与漂移区的正面直接或间接地电接触;第一沟槽栅结构,由基区的表面沿Z方向纵向延伸至...
顾悦吉杨彦涛韩健王珏
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高工作电压LED保护二极管及其结构
本实用新型提出一种高工作电压LED保护二极管,包括:PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块;PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接,PNP三极管的基极、P/N+...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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IGBT器件及其制作方法
本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法,所述IGBT器件采用复合型栅极结构,所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅,所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度,因此可以...
韩健顾悦吉黄示陈琛
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沟槽栅型IGBT器件及其制造方法
本发明提供了一种沟槽栅型IGBT器件及其制造方法,该器件包括:N型掺杂的漂移区;P型掺杂的集电区,与漂移区的背面直接或间接地电接触;P型掺杂的基区,与漂移区的正面直接或间接地电接触;第一沟槽栅结构,由基区的表面沿Z方向纵...
顾悦吉杨彦涛韩健王珏
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计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置
本申请公开了一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置,半导体器件包括多个分层,计算半导体器件的频率与电流的方法包括:获取半导体器件的基础参数;基于热扩散角原理根据基础参数计算半导体器件的结壳稳态热阻,以及根据基础参...
袁嘉隆柯攀胡一峰韩健
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一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻,包括半导体衬底;介质层,形成于半导体衬底上;熔丝修调形状,由熔丝淀积形成于介质层上,熔丝修调形状有熔断区域和两端,熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫;钝化层,...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管,包括:PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块;PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接,PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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IGBT器件及其制造方法
本发明提供一种IGBT器件及其制造方法,所述IGBT器件具有空穴通路结构,所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻。本发明的IGBT器件能够同时改善空穴电流和电子电流,提高常温与...
韩健顾悦吉刘慧勇
快恢复二极管及其制造方法
本申请公开了快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括:阴极,所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区;阴极;位于所述阴极上的漂移区;位于所述漂移区上的缓冲层;位于所述缓冲层中的阳极;从所述阳极经由所述缓...
顾悦吉黄示韩健陈琛
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快恢复二极管
本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括:阴极,所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区;阴极;位于所述阴极上的漂移区;位于所述漂移区上的缓冲层;位于所述缓冲层中的阳极;从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所...
顾悦吉黄示韩健陈琛
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共2页<12>
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