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刘慧勇

作品数：27 被引量：3H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 17篇发射区
  • 13篇外延层
  • 11篇功率半导体
  • 11篇功率半导体器...
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体器件
  • 9篇IGBT器件
  • 8篇二极管
  • 7篇电流
  • 7篇介质层
  • 6篇电流密度
  • 6篇续流
  • 6篇续流二极管
  • 6篇栅极
  • 5篇栅极结构
  • 5篇离子注入
  • 4篇电阻
  • 4篇鲁棒
  • 4篇安全工作区
  • 3篇淀积

机构

  • 27篇杭州士兰集成...

作者

  • 27篇刘慧勇
  • 21篇刘琛
  • 6篇韩健
  • 3篇陈文伟
  • 3篇江宇雷
  • 3篇雷辉
  • 3篇杨彦涛
  • 2篇范伟宏

传媒

  • 3篇中国集成电路

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 7篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率半导体器件
本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底的晶向为<100>；位于半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层，第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同，半导体衬底和第一...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
一种功率器件终端环的制造方法及其结构
本发明提出一种功率器件终端环的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上由下至上依次形成功率器件的硅衬底和场氧化层；通过光刻工艺在场氧化层上的掩膜层中形成终端环光刻窗口；在终端环光刻窗口内干法蚀刻部分厚度的场氧化层，形成第一...
闻永祥顾悦吉刘琛刘慧勇
一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
文献传递
具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法
本发明提供一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在N型衬底中。本发明还提供一种具有场截止缓冲层的IGBT器件，包括：场截止缓冲层，场截止缓冲层包括N型衬底和形成在N型衬底中的P型埋层；...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面生长具有第一掺杂类型且纵向掺杂均匀的第一外延层；在第一外延层上生长具有第一掺杂类型的第二外延层，第二外延层的掺杂浓度低于第一外延层...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
一种功率器件终端环的制造方法及其结构
本发明提出一种功率器件终端环的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上由下至上依次形成功率器件的硅衬底和场氧化层；通过光刻工艺在场氧化层上的掩膜层中形成终端环光刻窗口；在终端环光刻窗口内干法蚀刻部分厚度的场氧化层，形成第一...
闻永祥顾悦吉刘琛刘慧勇
文献传递
集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法
本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法
本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究被引量：1
2013年
IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研究了其槽栅设计尺寸对器件主要直流参数的影响。
闻永祥范伟宏顾悦吉刘琛刘慧勇
关键词：绝缘栅晶体管直流参数
IGBT器件及其制造方法
本发明提供一种IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件具有空穴通路结构，所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻。本发明的IGBT器件能够同时改善空穴电流和电子电流，提高常温与...
韩健顾悦吉刘慧勇
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共3页<123>
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