陶垠波
- 作品数：16 被引量：5H指数：1
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- 一种长延时电路
- 本发明公开了一种长延时电路，本发明是针对现有的RC延时电路在处理长延时时间问题过程中结构复杂的问题而提出的，具体包括：一恒流源、一可控开关、一电容元件、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件及一触发器。本发明的延时电路...
- 方健杨毓俊潘福跃陶垠波吴杰
- 文献传递
- 一种带氧化槽的双栅LDMOS
- 2013年
- 提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。
- 臧凯旋方健吴杰贺雅娟陶垠波
- 关键词：氧化槽双栅比导通电阻LDMOS功率器件
- 一种开关电源电路
- 本发明公开了一种开关电源电路，包括：开关管，第一分压电阻、第二分压电阻，电感元件，续流二极管，负载单元，负载电流检测单元，比较器，D锁存器，模数转换器，数模转换器，PWM工作模式栅驱动电压产生单元，第一放大器，PWM比较...
- 方健陶垠波吴杰潘福跃杨毓俊唐莉芳黎俐臧凯旋
- 文献传递
- 电荷泵电路
- 本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一...
- 方健贾姚瑶陶垠波杨毓俊臧凯旋袁同伟李源彭宜建谷洪波
- 文献传递
- 一种三阶补偿带隙基准电压源
- 本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
- 方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
- 文献传递
- 一种三阶补偿带隙基准电压源
- 本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
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- 一种电平位移电路
- 本发明公开了一种电平位移电路。本发明是针对现有的电平位移电路的设计中隔离比较困难的问题而设计的，具体包括振荡器单元、可变增益放大器单元、集成变压器单元、回路电阻、普通放大器单元、检波单元和比较器单元。本发明通过集成变压器...
- 方健吴琼乐王泽华陈吕赟向莉柏文斌管超杨毓俊黎俐唐莉芳潘福跃陶垠波张广胜
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- 一种简单的高精度3阶补偿带隙电压基准源被引量：4
- 2013年
- 基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～120℃温度范围内,5V工作电压下,该带隙基准源的输出电压为1.204V,温度系数为1.9×10-6 V/℃,在1kHz时,电源抑制比为58dB。
- 吴杰方健杨毓俊陶垠波臧凯旋
- 关键词：带隙电压基准源BICMOS
- 42V智能功率直流伺服电机驱动芯片的设计
- 智能功率集成电路的产生与发展实现了将功率传输与信息控制集成在同一块芯片内的目的，它的出现使功率传输处理系统日趋智能化与小型化。作为智能功率集成电路的一种典型应用，直流伺服电机驱动电路在工业控制、汽车电子、航空航天与消费电...
- 陶垠波
- 关键词：智能功率集成电路直流电机H桥驱动弛张振荡器芯片设计
- 一种频率稳定的弛张振荡器设计
- 本文设计了一种频率受电源电压和温度变化影响很小的弛张振荡器.振荡器采用单比较器的电流脉冲电位重置型结构.通过稳定其供电电压和比较电压,形成频率和占空比恒定,受电源电压和温度影响很小的振荡器.振荡器工作电压5.5v-7.5...
- 陶垠波方健
- 关键词：弛张振荡器低压差线性稳压器带隙基准电流脉冲
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