叶珂
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 一种横向功率器件漂移区的制造方法
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条2...
- 乔明章文通叶珂祁娇娇薛腾飞张波
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- 一种功率半导体器件及其制造方法
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS...
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- P型NiO透明导电氧化物薄膜制备及其硅基二极管的研究
- NiO是一种新型的宽禁带氧化物半导体，具有直接带隙能带结构，室温下的禁带宽度在3.6-4.0 eV之间。由于NiO特有的电子结构以及 p型导电等特点，它具有许多独特的性质，在透明导电薄膜、气敏、紫外探测等领域显示出其广阔...
- 叶珂
- 关键词：异质结器件
- 一种功率半导体器件及其制造方法
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS...
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- 一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用被引量：2
- 2016年
- 利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCO NRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60 min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30 min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过Phillips X'Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,Keysight B1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2 V和-2 V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。
- 叶珂乔明
- 一种横向高压器件及其制造方法
- 本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底上端面的第二导电类型半导体漂移区和分别设置在第二导电类型半导...
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