沈晓霞
- 作品数：16 被引量：14H指数：3
- 供职机构：深圳信息职业技术学院更多>>
- 发文基金：深圳市科技计划项目广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学机械工程更多>>
- 张应变锗MSM光电探测器
- 本实用新型公开一种张应变锗MSM光电探测器。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连接成一体...
- 周志文李世国沈晓霞
- 文献传递
- 降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
- 2016年
- Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。
- 周志文沈晓霞李世国
- 关键词：N型掺杂接触电阻
- 硅衬底上锗外延层的生长被引量：2
- 2016年
- 利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层技术,研究了Si衬底上高质量Ge外延层的生长。结果表明,低温Ge缓冲层的表面起伏较大,降低生长温度并不能抑制三维岛状生长。然而,低温Ge缓冲层的压应变几乎被完全弛豫,应变弛豫度达到90%以上。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm。Ge外延层X射线双晶衍射峰的峰形对称,峰值半高宽约为460 arcsec,无明显的Si-Ge互扩散。湿法化学腐蚀部份Ge外延层,测量位错密度约为5×10~5cm^(-2)。
- 周志文沈晓霞李世国
- 关键词：硅衬底表面形貌
- 张应变锗MSM光电探测器及其制备方法
- 本发明公开一种张应变锗MSM光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连...
- 周志文李世国沈晓霞
- 文献传递
- 金属与N型锗接触的制备方法与应用
- 本发明公开了一种金属与N型锗接触的制备方法与应用。该方法包括:对N型锗衬底进行表面清洗；后在N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；再在N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。上述金属与N型锗接...
- 周志文沈晓霞李世国
- 文献传递
- Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟
- 2014年
- 设计了Si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/Si O2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/Si O2的对数分别为2和3,Ge薄膜的厚度为0.46μm,器件的台面面积小于176μm2时,探测器在中心波长1.55μm处的外量子效率达到0.64,比普通结构提高了30倍,同时器件的带宽达到40 GHz。
- 周志文沈晓霞李世国
- 关键词：光电子学光电探测器锗
- 全息干涉法制备的光子晶体带隙特性研究
- 2013年
- 提出了一种利用两次曝光的全息干涉技术提高光子晶体全带隙的方法,通过两次曝光可以适当调整晶格中介质柱的大小和形状,并可以改变光子晶体的对称性,有效地提高光子能带性质。以两种混合三角光子晶体结构为例进行计算,研究表明经过适当优化的结构在很宽的系统参数范围内有全光子带隙存在,并通过引入线缺陷模拟验证了全带隙的存在。
- 沈晓霞王新中周志文
- 关键词：全息干涉光子晶体光子带隙
- 利用复合技术提高光子晶体LED发光效率的研究被引量：2
- 2013年
- 介绍了几种利用复合技术提高光子晶体LED出光效率的方法。利用复合技术在LED上形成光子晶体结构和微腔结构、全方位反射镜、图形化衬底、AlGaN限制层或嵌入式光子晶体层复合的结构,可以改变LED的发光光路与内部导波模式分布,有效地提高光子晶体LED的发光效率。以五种复合结构为例进行分析,通过实验制备和时域有限差分(FDTD)模拟仿真,证实了与传统LED结构相比,经过适当优化参数配置,具有复合结构的LED比只具有表面光子晶体的LED结构出光效率有显著提高。
- 沈晓霞董国艳任亚洲王新中周志文
- 关键词：光电子学LED微腔
- 张应变锗MSM光电探测器及其制备方法
- 本发明公开一种张应变锗MSM光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括衬底层，自所述衬底层第一表面向外，依次叠设有牺牲层、含锗层、应力源层、金属层；所述含锗层图形化形成中心区和周围区，所述中心区和所述周围区通过含锗桥梁连...
- 周志文李世国沈晓霞
- 文献传递
- 张应变锗薄膜制备技术的研究进展
- 2017年
- 由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注。然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战。综述了张应变锗薄膜制备技术的研究进展,重点介绍了在锗薄膜中引入张应变的外延技术、应变转移技术、应变浓缩技术和机械应变技术的工艺流程和实验结果,并讨论了它们的优点和缺点。采用应变浓缩技术制备的厚度为350 nm的锗薄膜微桥的单轴张应变和微盘的双轴张应变分别达到了4.9%和1.9%,可将锗调制为直接带隙材料,适用于锗激光器的研制。
- 周志文李世国沈晓霞
- 关键词：硅衬底光电子
