唐重林
- 作品数：8 被引量：36H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 基于SOC应用的运算放大器IP核设计被引量：3
- 2008年
- 基于SOC应用,采用TSMC0.18μm CMOS工艺,设计实现了一个低电压、高增益的恒跨导轨到轨运算放大器IP核。该运放采用了一倍电流镜跨导恒定方式和新型的共栅频率补偿技术,比传统结构更加简单高效。用Hspice对整个电路进行仿真,在1.8V电源电压、10pF负载电容条件下,其直流开环增益达到103.5dB,相位裕度为60.5度,输入级跨导最大偏差低于3%。
- 唐重林柴常春程春来
- 关键词：运算放大器轨到轨IP核
- 甚低功耗SAR ADC的结构设计与控制技术
- 基于片上系统和微控制芯片对其内部A//D转换器的低功耗要求,本文在分析传统逐次逼近型ADC结构原理和功耗特性的基础上,尝试设计了一种新颖的甚低功耗SAR ADC电路结构,该ADC利用电荷分享技术实现数据的采样//保持和逐...
- 唐重林
- 关键词：低功耗
- 文献传递
- 实用型开关霍尔传感器电路设计
- 设计了一款基于磁场控制电流方向的实用化模/数转换电路，采用汉磊0.5 um双极工艺，研制了电路芯片。结果表明：该芯片电路带隙基准电压温漂小，输出数字信号上升/下降沿陡峭，迟滞窗口漂移小且对称，达到设计要求，具有实用价值。
- 刘兆军张鹤鸣唐重林程春来
- 关键词：数模转换电路电路设计霍尔传感器
- PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究被引量：7
- 2007年
- 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。
- 娄利飞杨银堂柴常春高峰唐重林
- 关键词：铁电材料电滞回线总剂量辐照效应抗辐照
- 一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器的设计被引量：10
- 2007年
- 设计了一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器。该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗。采用TSMC 0.18μmCMOS工艺,基于BSIM3V3 Spice模型,用HSpice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用。目前,该放大器已应用于14位∑-Δ模/数转换电路的设计中。
- 程春来柴常春唐重林
- 关键词：运算放大器低压低功耗
- 铁电材料的核辐射效应被引量：10
- 2007年
- 大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注。首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上对其核辐射效应微观机理进行了分析和讨论,指出了铁电材料在抗辐射领域的发展趋势和研究方向。
- 唐重林柴常春娄利飞楼晓强
- 关键词：铁电材料核辐射
- 一种低压低功耗CMOS折叠—共源共栅运算放大器的设计被引量：5
- 2007年
- 本文设计了一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器。该运放的输入级采用折叠-共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;由于采用AB类推挽输出级,实现了全摆幅输出,并且大大降低了功耗。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,基于BSIM3V3Spice模型,用Hspice对整个电路进行仿真,结果表明:与传统结构相比,此结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低,非常适合于低压低功耗应用。目前,该放大器已应用于14位∑-△模/数转换电路的设计中。
- 程春来柴常春唐重林
- 关键词：运算放大器低压低功耗
- PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究被引量：4
- 2008年
- 采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。
- 娄利飞高峰杨银堂唐重林柴常春
- 关键词：压电材料压电常数介电常数总剂量辐照效应
