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饶晓俊

作品数：15 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇外延层
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 3篇电导
  • 3篇电容式
  • 3篇电容式压力
  • 3篇电容式压力传...
  • 3篇短路
  • 3篇压力传感器
  • 3篇匹配性
  • 3篇微电子
  • 3篇微电子工艺
  • 3篇芯片
  • 3篇芯片面积
  • 3篇力传感器
  • 3篇介质层
  • 3篇键合
  • 3篇各向异性磁阻...
  • 3篇惯性传感

机构

  • 15篇杭州士兰集成...

作者

  • 15篇饶晓俊
  • 12篇刘琛
  • 11篇季锋
  • 5篇范伟宏
  • 3篇王英杰
  • 1篇黄荣生
  • 1篇闫建新

传媒

  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铝锗键合技术及其在MEMS加速度计中的应用被引量：1
2014年
本文提出了一种可与CMOS工艺兼容的MEMS晶圆级铝锗键合工艺。根据铝锗共晶键合的特点,设计了键合工艺流程,并通过对键合工艺(包括键合温度、键合时间、键合压强)安排多次试验,获得了优化的铝锗共晶键合工艺条件,并成功应用于MEMS加速度计产品的制作。
刘琛闻永祥黄荣生季锋饶晓俊邹光祎
关键词：真空封装加速度计
溅射温度对Ni80Fe20各向异性磁阻薄膜磁特性影响的研究
采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改...
饶晓俊刘琛闻永祥闫建新
关键词：磁特性
文献传递
半导体器件
本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电极端；第一掺...
王英杰饶晓俊
文献传递
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电...
王英杰饶晓俊
各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法
本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第...
闻永祥季锋刘琛饶晓俊
文献传递
用于MEMS工艺中的深槽制造方法
本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法，通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层，在硅衬底的背面形成一接触层；对掩蔽层进行刻蚀，形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口；第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，...
季锋范伟宏闻永祥刘琛饶晓俊
文献传递
电容式压力传感器和惯性传感器集成器件
本实用新型提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导电层；位...
季锋范伟宏闻永祥刘琛饶晓俊
文献传递
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电...
王英杰饶晓俊
文献传递
MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法
本发明提供了一种MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法，该结构包括：封帽硅片，其上设置有微机械保护腔和位于该微机械保护腔外围的第一玻璃浆料键合区；器件硅片，其上设置有微机械结构槽和位于该微机械结构槽外围的第二玻璃浆料键合区...
闻永祥季锋刘琛饶晓俊
文献传递
电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法
本发明提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导...
季锋范伟宏闻永祥刘琛饶晓俊
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