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刘立滨
作品数:
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清华大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
许军
清华大学
王敬
清华大学
梁仁荣
清华大学
李为民
清华大学
蒋春生
清华大学
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作者
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刘立滨
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王敬
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2014
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2012
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异质栅隧穿晶体管的形成方法
本发明提出一种后栅工艺的异质栅隧穿晶体管的结构及其形成方法,包括:衬底;形成在衬底之中的沟道区,沟道区两侧的源区和漏区,所述漏区和源区的掺杂类型相反;还包括形成在沟道区之上的栅堆叠,包括栅介质层,在栅介质层之上的第一栅电...
梁仁荣
刘立滨
王敬
许军
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反相器
本发明提出一种反相器,包括:N型无结型场效应晶体管,其中,N型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构;P型无结型场效应晶体管,其中,P型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构,N型无结型场效应晶体管与P型无结型场效应晶体管平行放...
刘立滨
李为民
王敬
许军
文献传递
无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管,包括:衬底;衬垫层,衬垫层位于衬底之上;沟道层,沟道层位于衬垫层之上,包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区,其中,沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同;源极,源极包覆源区的上...
刘立滨
蒋春生
梁仁荣
王敬
许军
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一种增强隧道穿透场效应晶体管
一种增强隧道穿透场效应的晶体管,包括.衬底;沟道区,以及形成在沟道区两侧的源区和漏区,其中,所述漏区和所述源区的掺杂类型相反;还包括欧姆接触层,栅堆叠,所述栅堆叠包括栅介质层,在所述栅介质层之上的第一栅电极和第二栅电极,...
梁仁荣
刘立滨
王敬
许军
一种动态随机存储器单元及其制备方法
本发明提出了一种动态随机存储器单元及其制备方法,该动态随机存储器单元包括衬底,形成在衬底之上的晶体管操作区和电荷存储区,该晶体管操作区和电荷存储区在空间上分离,其通过电荷通道与电荷存储区相连,在晶体管操作区内形成有源极、...
刘立滨
梁仁荣
王敬
许军
文献传递
反相器
本发明提出一种反相器,包括:N型无结型场效应晶体管,其中,N型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构;P型无结型场效应晶体管,其中,P型无结型场效应晶体管为无结型双栅结构,N型无结型场效应晶体管与P型无结型场效应晶体管平行放...
刘立滨
李为民
王敬
许军
高性能薄膜晶体管关键技术研究
薄膜晶体管(TFT)是实现板上集成和三维单片集成的核心器件之一。随着应用需求的不断提高,这两种新集成技术亟需具有更高性能的TFT器件。然而,由于TFT沟道中存在各种缺陷以及应用场景中低热预算和低成本的多重限制,高性能TF...
刘立滨
关键词:
多晶硅
薄膜晶体管
纳米线
环形栅薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了环形栅薄膜晶体管及其制备方法。该方法包括:(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层;(2)对所述牺牲层进行刻蚀,以便形成沟道层模板,所述沟道层模板的侧壁自上至下具有垂直段和斜面段;(3)在源区、漏区以及所...
刘立滨
梁仁荣
许军
王敬
文献传递
一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法
本发明提出了FINFET动态随机存储器单元及其制备方法,该FINFET动态随机存储器单元包括衬底,体区,源极、漏极,鳍,源极金属层,漏极金属层,栅介质层,栅极和钝化层。本发明的FINFET动态随机存储器单元将产生的载流子...
刘立滨
梁仁荣
王敬
许军
环形栅薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了环形栅薄膜晶体管及其制备方法。该方法包括:(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层;(2)对所述牺牲层进行刻蚀,以便形成沟道层模板,所述沟道层模板的侧壁具有斜面段;(3)在源区、漏区以及所述沟道区沉积沟道...
刘立滨
梁仁荣
许军
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