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邵花
作品数:
23
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家科技重大专项
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
王文东
中国科学院微电子研究所
李勇滔
中国科学院微电子研究所
夏洋
中国科学院微电子研究所
刘邦武
中国科学院微电子研究所
韦亚一
中国科学院微电子研究所
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邵花
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磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究
被引量:1
2013年
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
邵花
王文东
刘训春
夏洋
关键词:
磁控溅射
TA
多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置
本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置,包括:定义待刻蚀对象的结构信息,待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层;定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数;定义不同深度的左侧发射源和右侧发...
严琦
韦亚一
陈睿
龚文华
邵花
李晨
文献传递
一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域,具体涉及一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度...
邵花
王文东
刘邦武
夏洋
李勇滔
文献传递
一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域,具体涉及一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法。所述改进方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度大于99.95%的Y<Sub>2</Sub>O<...
邵花
王文东
夏洋
李勇滔
文献传递
一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域,具体涉及一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度...
邵花
王文东
刘邦武
夏洋
李勇滔
文献传递
一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备
本发明公开一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备,涉及微电子技术领域。刻蚀仿真模型的确定方法,方法包括:根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布,确定当前时刻衬底表面上各个位点的刻蚀速率,得到一维刻蚀速率数据集;基于各...
李晨
韦亚一
陈睿
邵花
严琦
文献传递
一种改进性能的Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域,具体涉及一种改进性能的Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度大于99.95%的Y<Sub>2</S...
邵花
王文东
夏洋
李勇滔
文献传递
一种低压等离子喷涂技术制备Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域,具体涉及一种低压等离子喷涂技术制备Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的方法。所述制备黑色Y<Sub>2</Su...
邵花
王文东
刘邦武
夏洋
李勇滔
文献传递
一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域,具体涉及一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法。所述改进方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度大于99.95%的Y<Sub>2</Sub>O<...
邵花
王文东
夏洋
李勇滔
文献传递
一种改进性能的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域,具体涉及一种改进性能的Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:步骤(1),选择纯度大于99.95%的Y<Sub>2</S...
邵花
王文东
夏洋
李勇滔
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