李美玲
- 作品数：15 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：冶金工程电气工程一般工业技术更多>>
- 一种纳米二氧化锰电极的制备方法
- 一种纳米二氧化锰电极的制备方法，属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为：（1）使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。（2）以锰的可溶性盐为主盐，NaNO<Sub>3</Sub>为添加剂，室温下配制电沉积液，并使用...
- 孔祥华李美玲王晓峰尤政宋长霖刘茂林
- 一种钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原...
- 仇鹏郑新和卫会云彭铭曾刘三姐何荧峰李美玲宋祎萌安运来
- 文献传递
- 用田口方法确定U75V重轨钢脱碳关键影响因素的研究被引量：2
- 2012年
- 针对U75V重轨钢的脱碳层超标问题,通过实验研究了U75V重轨钢钢坯在加热过程中加热温度、保温时间与钢坯脱碳层深度的关系。采用田口方法进行关键影响因素分析,根据各试验条件的S/N比,推断出加热温度是影响U75V重轨钢脱碳层深度的主要因素。
- 刘在龙孔祥华李文浩王更超李美玲
- 关键词：田口方法重轨钢脱碳
- 一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
- 一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用P...
- 刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
- 文献传递
- Mn_3O_4电极的制备及电化学性能研究被引量：1
- 2012年
- 在C4H6MnO4.H2O水溶液中,采用电化学沉积法制备了Mn3O4电极,研究了所制电极的微观结构及性能。结果表明,当电沉积液中添加有NaNO3时,所制Mn3O4电极具有纳米级薄片所构成的多孔表面,且性能优异,其电化学传递阻抗小,比容达到122.5 F.g–1,比未添加NaNO3时提高了70%。
- 李美玲孔祥华卢瑶王更超王晓峰尤政
- 关键词：超级电容器电化学沉积
- 一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法
- 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术...
- 何荧峰郑新和彭铭曾卫会云刘三姐李美玲宋祎萌仇鹏安运来王瑾
- 文献传递
- 一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中...
- 彭铭曾安运来郑新和卫会云刘三姐何荧峰李美玲宋祎萌仇鹏成佳东
- 文献传递
- 脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法
- 本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO<Sub...
- 王瑾郑新和刘三姐侯彩霞何荧峰李美玲
- 一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法
- 一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD...
- 刘三姐郑新和彭铭曾侯彩霞王瑾何荧峰李美玲
- 文献传递
- 一种纳米二氧化锰电极的制备方法
- 一种纳米二氧化锰电极的制备方法，属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为：（1）使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。（2）以锰的可溶性盐为主盐，NaNO<Sub>3</Sub>为添加剂，室温下配制电沉积液，并使用...
- 孔祥华李美玲王晓峰尤政宋长霖刘茂林
- 文献传递
