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基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管及其制作方法: 本发明公开了一种基于Ⅲ族氧化物钝化的增强型晶体管及其制作方法。所述制作方法包括：在衬底上生长形成异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气...; 张宝顺何涛付凯孙驰史峰峰邓旭光于国浩范亚明; 文献传递

多波长发光二极管及其制备方法: 本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本...; 金朝范亚明朱建军边历峰; 文献传递

一种GaN基HEMT器件及其制作方法: 提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥...; 范亚明冯家驹张晓东于国浩邓旭光张宝顺; 文献传递

气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉: 本发明揭示了气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉，气相沉积炉的均匀供气装置，包括至少一条呈T字形的匀气管路，所述匀气管路的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件。本发明设计精巧，通过设置出气孔的朝向，能够使反应气...; 鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺; 文献传递

氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法: 本发明公开了一种氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述的氧化镓垂直结构半导体电子器件包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有经离子注入的方式处理形成的电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅...; 张晓东李军帅张丽邓旭光范亚明张宝顺; 文献传递

一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法: 本发明揭示了一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法，一次性全表面气相沉积支架包括共轴的第一支架和第二支架，所述第一支架上形成有至少一个第一支撑平面，所述第二支架上形成有与每个第一支撑平面匹配且共轴的第二支撑平面...; 鞠涛崔志国张立国范亚明张泽洪张宝顺; 文献传递

一种高温CVD设备: 本发明涉及一种高温CVD设备，包括：设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁，以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体，其特征在于，所述双层侧壁周向设有基准法兰，所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。所述盖体包括...; 鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺; 文献传递

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展被引量：3: 2022年; 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_(g)、提高电阻R_(g)抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。; 冯家驹范亚明房丹邓旭光邓旭光于国浩张宝顺; 关键词：氮化镓功率电子器件封装技术高电子迁移率晶体管金刚石

一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法: 本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩...; 鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺; 文献传递

半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途: 本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构...; 王哲明范亚明陈扶黄宏娟赵佳豪云小凡张晓东张宝顺; 文献传递

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范亚明