梁哲
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：宁波大学更多>>
- 发文基金：宁波市自然科学基金宁波大学王宽诚幸福基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长
- 2010年
- 本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长。以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长。在晶体生长过程中,炉体温度调节于750～770℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率控制为1～2mm/h,成功生长出尺寸为25mm×50mm的透明完整KI单晶。采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450～2500nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280nm左右;在266nm脉冲光激发下,该单晶具有397nm峰值波长的荧光发射。
- 王苏静陈红兵方奇术徐方梁哲蒋成勇杨培志
- 关键词：坩埚下降法光谱性质
- 坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征
- 2011年
- 采用固相合成法制备PIMNT多晶料,通过垂直坩埚下降法生长出大尺寸PIMNT晶体;从晶体原坯不同部位切取系列晶片,应用X射线衍射旋转定向测试法,获得这些晶片的常规扫描图和蝴蝶图,从而对PIMNT晶体的单晶性做出分析表征。X射线粉末衍射分析表明PIMNT晶体为钙钛矿结构,系列晶片的常规扫描图显示整个晶体轴向自下至上均呈[111]结晶学方向,其蝴蝶图所示晶体的取向分散度为1.2°-1.5°,这些结果证实了所生长PIMNT晶体的单晶性。
- 梁哲陈红兵方奇术王西安李振荣徐卓
- 关键词：晶体生长X射线衍射
- 坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷被引量：4
- 2010年
- 采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。
- 陈红兵沈琦方奇术肖华平王苏静梁哲蒋成勇
- 关键词：钨酸镉晶体生长坩埚下降法晶体缺陷
- 新型弛豫铁电单晶PIMNT的生长工艺
- 本发明公开了新型弛豫铁电单晶PIMNT的坩埚下降法生长工艺，该发明属于单晶生长技术领域。以高纯度PbO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>、In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Ti...
- 陈红兵梁哲柯毅阳倪峰罗来慧潘建国
- 文献传递
- LiCaAlF_6单晶的非真空坩埚下降法生长
- 2010年
- 以高纯氟化物LiF、CaF2和AlF3为初始试剂,按照精确化学计量比1:1:1摩尔比配料,经高温氟化处理合成严格无水的LiCaAlF6多晶料.将该多晶料密封在铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现LiCaAlF6单晶的坩埚下降法生长.在单晶生长过程中,炉体温度控制于910～930℃,固液界面温度梯度为30℃.cm-1左右,坩埚下降速率为0.5～1.0mm·h-1,成功生长出无色透明的LiCaAlF6单晶.应用XRD、透射光谱,红外光谱进行了LiCaAlF6单晶基本性质的测试表征.结果表明,该单晶在190～1100nm区域内的光透过率达85%以上.
- 方奇术王苏静梁哲周燕飞武安华陈红兵
- 关键词：单晶生长坩埚下降法
- PIMNT单晶生长用多晶料的固相合成被引量：1
- 2011年
- 以In2O3、Nb2O5、4MgCO3.Mg(OH)2.4H2O、TiO2、PbO为初始试剂,先合成出前体化合物MgNb2O6和InNbO4;按照0.25Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.44Pb(Mg1/2Nb2/3)O3-0.31PbTiO3的组分比例,添加1.5 mol%过量PbO,通过高温固相反应合成出PIMNT多晶料。X射线粉末衍射、差热/热重分析表明,PIMNT多晶系钙钛矿结构的固溶体化合物。采用本实验合成PIMNT多晶料锭,通过坩埚下降法成功生长出25 mm直径的PIMNT单晶,证实采用预先合成多晶料有助于钙钛矿相PIMNT单晶的稳定生长。
- 柯毅阳梁哲沈琦罗来慧董友仁潘建国陈红兵
- 关键词：固相合成单晶生长
