苏道军
- 作品数：8 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学建筑科学更多>>
- 布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器
- 2015年
- 报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.
- 苏道军计伟崔碧峰邱伟彬佟存柱张松王晓玲凌小涵王加贤
- 关键词：半导体激光器多量子阱
- 一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
- 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成...
- 崔碧峰张松计伟陈京湘王晓玲苏道军
- 文献传递
- 980nm大功率半导体激光器增透膜的优化设计与制备
- 2014年
- 对于大功率半导体激光器，根据其最佳工作点随着和端面反射率相关的阈值电流等参数的变化规律，选择适合的腔面膜反射率系数进行设计。设计并制备三种腔面膜膜系，它们的增透膜在980 nm处反射率系数分别为8％、5％与2％，高反膜反射率系数均为90％。器件封装后分别测试其发光性能，数据显示与未镀膜的激光器相比，镀膜后的激光器在输入15 A电流时，它们的输出功率提高了35．18％～37．35％；它们在其最佳工作点处转换效率提高了25．33％～27．44％；此外高反膜反射率一定时，它们达到最佳工作点所需的电流值随其增透膜反射率系数减小而增大，结果表明优化选取合适的半导体激光器腔面膜膜系进行镀制，可以使半导体激光器在最佳工作点具有更大的输入电流，从而更适合在大功率工作。
- 王晓玲崔碧峰苏道军张松李佳莼凌小涵王勋
- 关键词：增透膜电子束蒸发反射率
- 一种具有腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
- 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成...
- 崔碧峰张松计伟陈京湘王晓玲苏道军
- 文献传递
- 半导体激光器高反膜系参数的模拟仿真分析被引量：1
- 2013年
- 分析制备半导体激光器高反膜系中出现的中心波位置偏移和峰值偏移现象,利用TFCalc软件对实验参数进行模拟仿真,得到中心波位置和峰值与膜厚偏差、膜料折射率变化的具体关系.研究结果表明:膜厚变化只能影响中心波的偏移,而不能影响峰值的大小,膜厚增大则中心波红移,膜厚减小则中心波蓝移;折射率变化会影响中心波位置和峰值的大小两个值,但折射率偏差3%已经是较大值,故折射率偏差对中心波位置的影响不会太大.
- 马钰慧邱伟彬苏道军王加贤崔碧峰王晓玲
- 关键词：半导体激光器高反射膜镀膜
- 新型大功率LD非注入区窗口结构研究被引量：3
- 2014年
- 提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流子在腔面处的非辐射复合,提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时,引入脊型波导结构,降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象,而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时,采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°,而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。
- 张松刘素娟崔碧峰李建军计伟陈京湘王晓玲苏道军李佳莼
- 关键词：脊型波导发散角
- 980nm半导体锁模激光器及808nm半导体激光器阵列的研究
- 半导体激光器具有先天的体积小、重量轻、寿命长等优点,一直是光电行业内研究的重点之一。近年来在半导体激光器方面的研究又主要集中在半导体锁模激光器、双光束半导体激光器以及半导体激光阵列等方面。本文针对时下研究的热点,并结合实...
- 苏道军
- 关键词：半导体激光器锁模激光器重复频率输出光功率
- 文献传递
- 离子辅助沉积电子束蒸发Si基SiO_2薄膜的研究被引量：1
- 2013年
- 研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si(100)面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高,镀膜时真空度为1.5×10-3 Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时,SiO2光学薄膜的光学特性最好。
- 陈京湘崔碧峰丁颖计伟王晓玲张松凌小涵李佳莼马钰慧苏道军
- 关键词：光学薄膜电子束蒸发折射率
