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袁彪

作品数:85 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 79篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 21篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 18篇电路
  • 15篇封装
  • 13篇射频
  • 10篇贴装
  • 10篇芯片
  • 8篇基板
  • 6篇振荡器
  • 6篇微带
  • 6篇封装结构
  • 5篇导体
  • 5篇引线
  • 5篇微波器件
  • 5篇连接器
  • 4篇带线
  • 4篇调谐
  • 4篇信号
  • 4篇阻焊
  • 4篇锡槽
  • 4篇限幅
  • 4篇限幅器

机构

  • 84篇中国电子科技...

作者

  • 84篇袁彪
  • 35篇常青松
  • 31篇徐达
  • 17篇王磊
  • 14篇赵瑞华
  • 13篇周彪
  • 9篇要志宏
  • 9篇史光华
  • 9篇孔令甲
  • 8篇连智富
  • 8篇吴立丰
  • 8篇刘晓红
  • 7篇邓世雄
  • 6篇王乔楠
  • 6篇郭文胜
  • 5篇戈江娜
  • 5篇张磊
  • 5篇宋学峰
  • 5篇汤晓东
  • 5篇许向前

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇现代制造技术...

年份

  • 11篇2024
  • 15篇2023
  • 23篇2022
  • 10篇2021
  • 17篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2013
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种点火装置
本发明适用于导弹控制系统技术领域,提供了一种点火装置,所述点火装置包括:点火模块和保护模块,所述点火模块包括第一电位点和第二电位点,在所述点火模块接收到引信信号时,所述第一电位点的电压小于所述第二电位点的电压,所述点火模...
武喜龙谢潇文松汤晓东霍现荣丁珂李焰峰袁彪
温度测量补偿电路及相干布居数囚禁原子钟
本发明提供一种温度测量补偿电路及相干布居数囚禁原子钟。其中,该补偿电路包括:温度测量电路、MCU电路和磁场控制电路;温度测量电路连接MCU电路,MCU电路连接磁场控制电路;温度测量电路测量相干布居数囚禁原子钟内部的实际温...
董伯贤徐淑壹袁彪张成飞刘奇张加程高晓强杜伟朱大成王增双孙高勇曹振坤韩鹏飞郭君张学仁
金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件
本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件,包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层,以及RDL层;多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布;金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁,金属化层位于任意相邻...
祁广峰徐达王磊王真袁彪杨晓楠宋学峰史光华周彪唐晓赫李仕俊杨彦锋乔家辉戴剑崔亮陈南庭
超宽带高频互联结构及制备方法
本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法,包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层,且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接;形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子...
李仕俊孔令甲杨阳阳袁彪王建唐晓赫徐达常青松史光华王真王胜奎戈江娜王二超许向前王旭东张磊马成龙吴浩宇
救生终端及其控制方法
本申请适用于救生设备技术领域,提供了救生终端及其控制方法。该救生终端包括按键开关、触水开关、开关管、电池单元、定位单元、指示灯、控制单元和信号发射单元,按键开关或触水开关被触发后,开关管导通,使得电池单元为所述控制单元供...
安加林秘志贺郑宏斌乜士举王磊周彪靳英策袁彪徐达罗建吴立丰孙磊磊刘丙凯李仕俊魏少伟
微波垂直过渡连接结构和微波器件
本发明适用于射频或微波技术领域,提供了一种微波垂直过渡连接结构和微波器件,该微波垂直过渡连接结构包括:上腔体电路基板和下腔体电路基板分别固定在金属盒体隔墙上下两侧表面的对应位置上;连接模块用于连接上腔体电路基板和下腔体电...
戈江娜肖宁郝金中袁彪杜伟宋学峰潘海波王磊
文献传递
线性限幅器
本发明适用于电子器件技术领域,提供了一种线性限幅器,包括:第一隔离模块、第一限幅模块、第二限幅模块和第二隔离模块;第一限幅模块包括第一限幅电路和第二限幅电路,第二限幅模块包括第三限幅电路和第四限幅电路;各个限幅电路分别包...
邓世雄陈书宾孙计永赵瑞华宋学峰王凯李丰袁彪
文献传递
无引线陶瓷器件的搪锡去金方法
本发明提供了一种无引线陶瓷器件的搪锡去金方法,属于无引线陶瓷技术领域,包括:在具有多个贯通槽的基板上粘贴胶带,且所述胶带覆盖多个所述贯通槽;将多个无引线陶瓷器件对应地放置于多个所述贯通槽内,以使所述无引线陶瓷器件的搪锡面...
魏少伟袁彪常青松徐达张延青左国森刘凡李素娜乔家辉邓志远胡占奎王二超
薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构
本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域,提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构,该方法包括:通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层;在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形,且任意相邻的...
唐晓赫李仕俊常青松姜永娜袁彪刘晓红杨阳阳屈建洋韩宏远刘文涛董占红席红英侯小鹏梁楚楚安丽丽
文献传递
小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制
2014年
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键合线与FBAR进行互连。将GaAs单片集成电路的大信号模型作为一个非线性器件,用探针台测试FBAR谐振器的单端口S参数,导入ADS软件进行谐波平衡法仿真和优化;通过电路制作和调试,达到了预期设计目标。该FBAR压控振荡器中心频率为2.44 GHz,调谐带宽15 MHz,单边带相位噪声达-110 dBc/Hz@10 kHz,与同频段同轴介质压控振荡器指标相当,但其尺寸更小,仅为5 mm×7 mm×2.35 mm。
袁彪郭文胜
关键词:小型化低相位噪声
共9页<123456789>
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