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杨洪

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 7篇CCD
  • 5篇图像
  • 5篇图像传感器
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 3篇内线
  • 3篇CCD图像
  • 3篇CCD图像传...
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇电特性
  • 2篇数值模拟
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光CCD
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇值模拟
  • 1篇电荷量

机构

  • 10篇重庆光电技术...

作者

  • 10篇杨洪
  • 4篇白雪平
  • 4篇翁雪涛
  • 4篇吕玉冰
  • 3篇郑渝
  • 2篇李立
  • 2篇钟玉杰
  • 2篇雷仁方
  • 1篇祝晓笑
  • 1篇李金
  • 1篇周建勇
  • 1篇陈红兵
  • 1篇唐遵烈
  • 1篇张娜
  • 1篇黄芳
  • 1篇高建威
  • 1篇李利民
  • 1篇石念
  • 1篇王晓强
  • 1篇杨修伟

传媒

  • 9篇半导体光电
  • 1篇红外技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种针对大像元CCD的电荷累积方法研究
2024年
提出了一种针对大像元CCD的电荷累积的方法,包括器件内垂直和水平方向像元结构细分与电荷包求和,以及驱动时序上的多相非等分驱动。其特点在于,通过时序与CCD图传感器结构的配合,实现了大电荷量在图像传感器内累积的功能,大幅提高了模拟信号动态。再将此方法应用到一款210μm×210μm的大像元CCD器件上,以此方法为架构搭建硬件电路并进行软件设计,通过采集成像和参数测试对方法效果进行验证。测试结果表明,在不损失转移效率的情况下,实现了CCD内信号累积和模拟输出的CDS采集成像,提高了满阱容量和动态范围。
袁世顺杨洪周建勇陈红兵王玉琳唐遵烈
关键词:CCD图像传感器
1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器
2023年
帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1024×1024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200 ke^(-),读出噪声小于等于80 e^(-),动态范围大于等于2000∶1。
钟玉杰杨洪易学东吴雪飞谷顺虎张娜
关键词:帧转移电荷耦合器件图像传感器
一种具有开窗功能的行间转移CCD图像传感器被引量:1
2021年
设计制作了一款具有开窗功能的行间转移CCD,其阵列规模为640×480元,像素尺寸为7.4μm×7.4μm,可在4种窗口分辨率,即640×480元、228×480元、640×164元和228×164元下开窗工作,具备单、双通道输出信号功能,当器件窗口分辨率为228×164元、以双输出通道模式工作时,帧频能够达到500f/s,可以应用于高速目标识别领域。
杨洪李金白雪平任思伟袁世顺翁雪涛
关键词:高帧频电荷耦合器件图像传感器
823×592元内线转移CCD图像传感器
2015年
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。
杨洪雷仁方郑渝吕玉冰翁雪涛
关键词:光电特性
一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析被引量:1
2014年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在(2.5~5.5)×1016 cm-3,结深应控制在5.5~6.5μm的结论。
杨洪李立吕玉冰白雪平
关键词:光电特性数值模拟
一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
2016年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
关键词:弥散特性数值模拟
一种昼夜兼容成像EMCCD图像传感器
2023年
本文设计制作了一款阵列规模为1024×1024元、像元尺寸为10μm×10μm的昼夜兼容成像EMCCD(electron multiplying charge coupled device),该器件包含国内首次制作的浮置栅放大器,该放大器电荷转换因子(Charge to voltage factor,CVF)为3.57μV/e^(-),满阱55 ke^(-),能够非破坏性判断信号强度。该功能使得场景中微光照区域的像素可以选择性地路由至倍增通道输出,而强光照区域的像素会路由至非倍增通道输出,有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号重新组合,实现高动态成像。同时为了实现器件在强光应用场合的抗光晕功能,器件像元区域采用了纵向抗晕设计,抗晕倍数为200倍,基于此类器件制作的相机能够恰当地在暗视场中呈现明亮的图像。
白雪平钟玉杰杨洪郑渝何达易学东黄芳
关键词:图像传感器
大阵列CCD光刻图形拼接技术研究被引量:3
2015年
针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0.3μm"凹陷",曝光时拼接交叠0.3μm。光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量。
李佳高建威袁安波杨修伟杨洪
关键词:CCD光刻
CCD纵向溢出漏结构工艺仿真与实现被引量:3
2013年
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键,决定了抗晕能力的强弱,而抗晕势垒受p阱注入剂量、埋沟注入剂量的影响。通过工艺仿真,确定了纵向溢出漏结构的p阱、埋沟工艺条件,根据仿真结果制造的纵向抗晕CCD抗晕能力大于100倍。
雷仁方王晓强杨洪吕玉冰郑渝李利民
关键词:CCD仿真
基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计被引量:1
2011年
介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。
祝晓笑石念杨洪翁雪涛
关键词:CCD模型参数提取
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