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白雪平

作品数：9 被引量：5H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇CCD
  • 2篇帧频
  • 2篇数值模拟
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇内线
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光CCD
  • 2篇高帧频
  • 2篇感器
  • 2篇EMCCD
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇值模拟
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件
  • 1篇电特性
  • 1篇增益
  • 1篇栅绝缘层

机构

  • 9篇重庆光电技术...
  • 3篇重庆邮电大学
  • 1篇北京空间机电...

作者

  • 9篇白雪平
  • 4篇杨洪
  • 3篇李立
  • 2篇熊平
  • 2篇郑渝
  • 2篇李华高
  • 2篇翁雪涛
  • 2篇吕玉冰
  • 1篇汪朝敏
  • 1篇李金
  • 1篇陈红兵
  • 1篇韩露
  • 1篇董杰
  • 1篇韩露
  • 1篇刘英丽
  • 1篇黄芳
  • 1篇王艳
  • 1篇任思伟
  • 1篇钟玉杰
  • 1篇刘慧

传媒

  • 6篇半导体光电
  • 1篇数字通信
  • 1篇红外技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
2008年
利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。
白雪平李华高熊平李立陈红兵
关键词：表面处理PTSI截止波长
Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制
2009年
使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与普通铂硅红外探测器相比，铂铱硅红外探测器在3～5μm中波红外波段响应明显增强。
李华高刘慧白雪平刘英丽王艳
关键词：肖特基势垒红外探测器焦平面阵列
一种具有开窗功能的行间转移CCD图像传感器被引量：1
2021年
设计制作了一款具有开窗功能的行间转移CCD,其阵列规模为640×480元,像素尺寸为7.4μm×7.4μm,可在4种窗口分辨率,即640×480元、228×480元、640×164元和228×164元下开窗工作,具备单、双通道输出信号功能,当器件窗口分辨率为228×164元、以双输出通道模式工作时,帧频能够达到500f/s,可以应用于高速目标识别领域。
杨洪李金白雪平任思伟袁世顺翁雪涛
关键词：高帧频电荷耦合器件图像传感器
基于TCAD的EMCCD仿真研究
基于EMCCD的倍增原理,利用Synopsys公司Sentaurus仿真工具,建立了EMCCD仿真模型。采用雪崩倍增物理模型,通过在倍增寄存器上施加高压驱动,实现了信号电荷的倍增和电压对增益的控制,验证了EMCCD的倍增...
白雪平韩露汪朝敏熊平李立刘昌举石念
关键词：EMCCD仿真模型增益
文献传递
一种昼夜兼容成像EMCCD图像传感器
2023年
本文设计制作了一款阵列规模为1024×1024元、像元尺寸为10μm×10μm的昼夜兼容成像EMCCD(electron multiplying charge coupled device),该器件包含国内首次制作的浮置栅放大器,该放大器电荷转换因子(Charge to voltage factor,CVF)为3.57μV/e^(-),满阱55 ke^(-),能够非破坏性判断信号强度。该功能使得场景中微光照区域的像素可以选择性地路由至倍增通道输出,而强光照区域的像素会路由至非倍增通道输出,有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号重新组合,实现高动态成像。同时为了实现器件在强光应用场合的抗光晕功能,器件像元区域采用了纵向抗晕设计,抗晕倍数为200倍,基于此类器件制作的相机能够恰当地在暗视场中呈现明亮的图像。
白雪平钟玉杰杨洪郑渝何达易学东黄芳
关键词：图像传感器
一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析被引量：1
2014年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在（2.5～5.5）×1016 cm-3,结深应控制在5.5～6.5μm的结论。
杨洪李立吕玉冰白雪平
关键词：光电特性数值模拟
一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
2016年
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
关键词：弥散特性数值模拟
MOSFET击穿特性的二维数值模拟
2010年
0引言 MOSET中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对漏源击穿运用MEDICI二维器件模拟软件进行分析。
韩露熊平白雪平
关键词：击穿特性MOSFETMEDICI栅绝缘层模拟软件PN结
高帧频64×64元蓝光响应增强CCD被引量：3
2016年
为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD。该器件的存储区采用漏斗形结构以提高其工作频率,光敏元采用多蓝光窗口来提高其蓝光响应,衬底采用较高的电阻率50Ω·cm从而提高了其红光响应,采用MPP技术来降低暗电流。器件的帧频为2 000f/s,在450~900nm波长范围的平均量子效率为45%,动态范围达到15 000∶1,暗电流为30pA/cm^2。
汪朝敏郑渝董杰王小东白雪平
关键词：高帧频CCDMPP
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