李立
- 作品数:7 被引量:4H指数:1
- 供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- CCD图像传感器输出节点电荷容量设计被引量:1
- 2022年
- 从电荷耦合器件(CCD)的满阱电荷容量和片上放大器的工作电压范围两个方面对器件的节点电荷容量进行了设计,并推导出输出节点电荷容量设计的优化公式。从公式中可以看出,输出节点的电荷容量设计除了需要满足CCD信号电荷转移本身所需的容量值以外,还必须保证节点处的电压变化范围在输出放大器线性工作区域内,才能使信号电荷能够完整线性地被放大器输出,从而保证CCD器件整体的非线性和满阱容量性能。因此,输出节点电荷容量的设计除了需要考虑节点自身的电容外,还应综合考虑输出放大器相关MOS管的宽长比、阈值电压、工作电压等因素。
- 李立
- 关键词:电荷耦合器件电荷容量
- 硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
- 2008年
- 利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。
- 白雪平李华高熊平李立陈红兵
- 关键词:表面处理PTSI截止波长
- 降低CCD转移驱动电压摆幅仿真技术研究
- 2016年
- 降低CCD的转移驱动电压摆幅对于减小器件的功耗有着积极的作用。通过对CCD电荷转移过程的原理进行分析,建立了CCD转移驱动电压摆幅的仿真模型,并从势垒注入、多晶硅电极间隙、栅介质层厚度等方面进行了仿真分析,找出了影响CCD转移驱动电压摆幅的关键因素,同时利用该模型得到了降低CCD转移驱动电压摆幅的优化条件。最后采用仿真结果进行了流片验证,CCD的驱动电压摆幅由原来的7V降低到了4V,验证了仿真结果的有效性。
- 李立王小东
- 关键词:CCD驱动电压摆幅仿真
- 一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析被引量:1
- 2014年
- 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在(2.5~5.5)×1016 cm-3,结深应控制在5.5~6.5μm的结论。
- 杨洪李立吕玉冰白雪平
- 关键词:光电特性数值模拟
- 一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
- 2016年
- 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
- 杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
- 关键词:弥散特性数值模拟
- 一种CCD静电保护电路的设计被引量:1
- 2015年
- 介绍了一种适用于电荷耦合器件(CCD)的静电保护电路。在对该静电保护电路工作原理分析的基础上,通过电路仿真确定了静电保护电路中MOS管的电学参数,再由半导体器件仿真确定了其工艺条件,并按此条件制作了静电保护电路。通过人体模型静电放电试验对该静电保护电路进行测试,结果表明CCD的抗静电能力由原来的不足100V提高到450V。
- 李立翁雪涛李晓潮
- 关键词:CCD静电保护电路
- 一种CCD工作寿命预计方法被引量:1
- 2012年
- 介绍了一种适用于电荷耦合器件(CCD)的工作寿命预计方法。对CCD的失效模型进行了分析,并进行加速寿命试验,试验结果与理论分析结果较好地吻合。试验结果表明,对于一款成熟应用的CCD,其工作寿命值与其质量等级有直接的关系;质量等级越高的器件,其工作寿命值也越长。
- 李立李晓潮
- 关键词:电荷耦合器件工作寿命