文忠
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 烧结温度对La3+、Nb5+复合掺杂PZT陶瓷微观结构和电性能的影响
- 一次固相合成法制备TPZT-2％La2O3-0.5％Nb2O5压电陶瓷，研究了烧结温度对压电陶瓷体积密度，线性结构、微现形貌，介电性能和压电性能的影响.结果表明，当烧结温度为1 200℃时，压电陶瓷在准同型相界附近的综合...
- 杨涛文忠谌青青高扬杨成韬
- 关键词：压电性能介电性能烧结温度
- 径向振动压电变压器的研究进展被引量：6
- 2011年
- 介绍了径向振动压电变压器的原理、结构及等效电路,综述了该变压器在材料研究、结构设计、驱动电路的发展趋势,展望了其在冷阴极管及DC-DC变换器等方面应用发展方向。
- 杨涛文忠谌青青高扬杨成韬
- 关键词：压电陶瓷变压器径向振动等效电路
- 衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征。结果表明,在一定温度范围内(450～650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速率增大,表面粗糙度先减小后增大;AlN(002)择优取向呈改善趋势,取向度先增大后减小,600℃时达到最佳。
- 高扬许绍俊谌青青孟祥钦杨涛文忠张彩虹杨成韬
- 关键词：磁控溅射衬底温度形貌
- 退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。
- 谌青青高扬杨涛杨成韬文忠张彩虹孟祥钦
- 关键词：ZNO薄膜退火温度
- 稀土In2O3掺杂改性锆钛酸铅压电陶瓷材料研究
- 传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷材料，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、安捷伦4294等研究了In2O3对P2T压电陶瓷相组成，压电性能及显微组织的影响.结果表明，掺入适量In2O3可抑制晶粒长大，有利...
- 文忠杨涛张彩虹谌青青高扬杨成韬
- 关键词：压电陶瓷压电性能掺杂改性固相烧结法
- 铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究被引量：4
- 2013年
- 采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长。在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能。当铟掺杂量为0.1%(质量分数)时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm。当铟掺杂量为0.3%(质量分数)时,PZT材料具有最好的压电性能,其tanδ=0.023,d33=540pC/N,εr=1513,Kp=0.764,Qm=1819。
- 朱斌文忠高扬杨涛
- 关键词：PZT陶瓷压电铁电
- 溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。
- 高扬许绍俊谌青青孟祥钦张彩虹文忠杨涛杨成韬
- 关键词：ALN薄膜溅射功率形貌
