彭金鑫
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学更多>>
- 重离子注入GaAs辐照损伤研究被引量：2
- 2017年
- 利用4.5 MeV的氪离子(Kr^(17+))辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^(12)～3×10^(14)cm^(-2),测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinal optical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。
- 杨迪彭金鑫孙梦利彭海波王铁山郭红霞
- 关键词：GAAS拉曼光谱辐照效应晶体结构
- Xe离子辐照导致InGaN薄膜化学组分与表面形貌的变化
- 2022年
- 在室温和773 K下,使用能量为5 MeV,注量为3×10^(13),6×10^(13)cm^(-2)的Xe离子辐照了不同组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x=0.32,0.47,0.7,0.8,0.9,1.0)薄膜。利用X射线光电子能谱和光学显微镜对辐照前后薄膜的化学组分和表面形貌进行了表征。结果表明,Xe离子辐照造成了In_(x)Ga_(1-x)N薄膜的辐射分解和表面氧化,氧化程度随In组分x的增加而增强。与室温下的离子辐照相比,在773 K温度下进行辐照时,薄膜中辐照缺陷的积聚速率明显减慢;但当离子注量从3×10^(13)cm^(-2)增加至6×10^(13)cm^(-2)时,薄膜的损伤速率显著加快。与富Ga组分的In_(x)Ga_(1-x)N(x<0.5)薄膜不同,富In组分的薄膜在Xe离子辐照后发生了起皮和剥落现象,表现出明显较差的抗辐照能力。
- 刘宁张利民李治明刘雪婷彭金鑫张硕王铁山郭红霞
- 关键词：INGAN重离子辐照化学组分表面形貌
- He^(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究
- 2018年
- 利用拉曼光谱研究了He^(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。
- 韩驿彭金鑫李炳生王志光魏孔芳刘会平张利民
- 关键词：碳化硅离子注入拉曼光谱
