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周泳

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇致密
  • 1篇致密性
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱法
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇红外光谱法
  • 1篇SIO2薄膜

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇郭宇恒
  • 1篇张富
  • 1篇荣丽梅
  • 1篇袁之光
  • 1篇杜江峰
  • 1篇周泳

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiO_2薄膜致密性的表征被引量：6
2011年
论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。
张富荣丽梅袁之光郭宇恒周泳杜江峰
关键词：SIO2薄膜致密性红外光谱法
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