姚佳飞
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 理想SOMOS的电容特性
- 2014年
- 三维集成是当前集成电路技术研究的热点之一,就三维集成的基本结构——SOMOS结构的低频和高频电容-电压特性进行了研究,建立了解析模型,并利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对模型进行了验证,二者吻合良好。而后借助该模型,对不同的偏置条件下的低频和高频电容—电压特性的物理机理进行了探讨,证实了通过电容-电压特性法对三维堆叠结构进行无损表征的可行性。
- 李曼郭宇锋姚佳飞邹杨
- 电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型被引量：1
- 2014年
- 分析降低表面场(reduced surface field,RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型.该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点.在此基础上,导出了一个新的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限.解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.
- 张珺郭宇锋黄示姚佳飞林宏肖建
- 关键词：电荷共享击穿电压
- 漂移区部分氧化柱体硅LDMOS
- 提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0...
- 黄示郭宇锋姚佳飞徐光明
- 关键词：击穿电压电场分布漂移区
- 横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望被引量：1
- 2013年
- 横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。
- 黄示郭宇锋姚佳飞夏晓娟徐跃张瑛
- 关键词：击穿电压比导通电阻
