您的位置: 专家智库 > >

张珺

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电荷共享
  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率器件
  • 1篇固定电荷
  • 1篇硅膜
  • 1篇横向功率器件
  • 1篇RESURF
  • 1篇MIS结构

机构

  • 2篇南京邮电大学

作者

  • 2篇郭宇锋
  • 2篇张珺
  • 1篇李曼
  • 1篇肖建
  • 1篇林宏
  • 1篇黄示
  • 1篇姚佳飞

传媒

  • 1篇应用科技
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型被引量:1
2014年
分析降低表面场(reduced surface field,RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型.该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点.在此基础上,导出了一个新的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限.解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.
张珺郭宇锋黄示姚佳飞林宏肖建
关键词:电荷共享击穿电压
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性被引量:1
2017年
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。
高梓喻蒋永吉李曼郭宇锋杨可萌张珺
关键词:MIS结构电容-电压特性
共1页<1>
聚类工具0