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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇三氯氢硅
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇催化
  • 1篇第一性原理
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氢化
  • 1篇自由基
  • 1篇氯化钡
  • 1篇加氢
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇催化加氢

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇中国成达工程...

作者

  • 2篇梁斌
  • 2篇黄韬
  • 1篇刘颖颖
  • 1篇蒋炜
  • 1篇岳晓宁
  • 1篇龙雨谦
  • 1篇陈建钧

传媒

  • 1篇工业催化
  • 1篇分子催化

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
催化热氢化法制备三氯氢硅研究进展被引量:2
2015年
四氯化硅加氢制备三氯氢硅是新一代多晶硅生产技术中实现副产物四氯化硅变换循环再利用而减少污染的重要手段。在围绕该反应的众多工艺方案中,催化热氢化法能耗低、选择性高,逐渐受到研究者的重视。国内外研究用于催化热氢化法的催化剂主要包括过渡金属类催化剂、碱土金属催化剂和耐高温腐蚀含硅多孔陶瓷。常用加氢类过渡金属催化体系表现出良好的活性,碱土金属催化剂选择性较高、化学性质更稳定。而制约催化热氢化法的问题主要表现在高纯多晶硅生产对于杂质的极低容忍度、苛刻的反应环境以及活性位吸附含氯产物造成单程转化率降低。开发耐高温、抗腐蚀、反应条件下物化性质稳定并易于脱附产物的热氢化催化剂是催化热氢化法发展的主要方向。综述了近年来国内外对于用在催化热氢化法中的各类催化剂的研究进展,并对存在的问题和前景进行分析与展望。
黄韬唐思扬刘颖颖周齐领尹渠军梁斌
关键词:半导体材料多晶硅四氯化硅三氯氢硅
四氯化硅催化氢化合成三氯氢硅机理研究被引量:15
2013年
针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45 kJ/mol,反应能量为74.94 kJ/mol,与热力学计算结果 71.85 kJ/mol一致.负载在HZSM-5分子筛上的氯化钡可催化四氯化硅氢化反应,其最具催化活性表面为(111)面;H2在BaCl2(111)面上表现排斥性;SiCl4表现为吸附性,可在BaCl2(111)表面稳定吸附并生成.SiCl3自由基,过程吸附能为448.33 kJ/mol;在催化剂BaCl2存在条件下,SiCl4与H2反应为自由基反应,反应步骤能垒为400.23 kJ/mol;氢化过程能垒降为184.97kJ/mol;催化氢化反应过程所需能量为64.20 kJ/mol.催化氢化过程反应条件相对无催化剂过程更为温和.
岳晓宁龙雨谦黄韬蒋炜陈建钧梁斌
关键词:四氯化硅催化加氢第一性原理自由基氯化钡
共1页<1>
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