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赖世波

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇短路
  • 1篇蒸发
  • 1篇熔融
  • 1篇三极管
  • 1篇数字集成电路
  • 1篇微波功率
  • 1篇集成电路
  • 1篇耗散功率
  • 1篇硅

机构

  • 2篇中国航天北京...

作者

  • 2篇赵春荣
  • 2篇李兴鸿
  • 2篇赵俊萍
  • 2篇赖世波

传媒

  • 2篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
集成电路开短路失效原因探讨被引量：7
2012年
对过电应力引起的CMOS集成电路的开短路失效模式,从电路结构、导电通路、误操作等方面进行了失效原因探讨。列举了一些过电应力的来源,说明了电压或电流幅度很小也可导致过电应力烧毁,从而说明了根据失效模式来寻找过电应力来源的困难性。对失效分析、故障归零将有很好的参考价值。
李兴鸿赵俊萍赵春荣赖世波
关键词：数字集成电路短路
一种硅微波功率三极管的失效分析被引量：1
2013年
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。
李兴鸿赵俊萍赵春荣赖世波
关键词：耗散功率
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共1页<1>
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