杨文
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件被引量：1
- 2017年
- 提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。
- 梁涛杨文何逸涛陈钢乔明张波
- 关键词：比导通电阻自热效应
- 超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：2
- 2015年
- 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。
- 王卓周锌陈钢杨文庄翔张波
- 关键词：高压LDMOS耐压模型RESURF
- 多基站下基于信号到达时间的室内三维定位被引量：6
- 2017年
- 对基于无线电信号的到达时间(TOA)的定位技术进行了研究.首先,建立了TOA测量值与真实值间的函数关系,通过求解含惩罚项的非线性最小二乘问题实现终端定位和噪声估计,并在已有研究的基础上提出了Alternating Iterative Reweighting(AIR)算法;其次,利用基站之间的几何位置进行筛选,根据每个终端信息完成自适应的最少基站的选择及定位;并结合物理特性实现终端运动轨迹预测;最后,根据基站通信半径筛选出可被定位终端,完成定位精度与终端平均连接度数之间关系的建模.
- 温培博李行健杨文
- 关键词：多目标优化
