何庆国
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6
- 2010年
- 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
- 默江辉王丽刘博宁李亮王勇陈昊冯志红何庆国蔡树军
- 关键词：内匹配大功率
- 利用共振隧穿器件制作太赫兹波源
- 2010年
- 太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。
- 郭维廉牛萍娟李晓云谷晓何庆国冯志红田爱华张世林毛陆虹
- 关键词：太赫兹波共振隧穿器件振荡源毫米波
- Ku波段GaAs单片功率放大器被引量：1
- 2010年
- 基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。
- 王会智吴思汉何庆国
- 关键词：GAASKU波段单片放大器PHEMT脉冲
- 宽带GaN单片功率放大器研究
- 2010年
- 基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器。简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaNHEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器。测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2~7 GHz频带内,小信号增益G〉18 dB,输入回损〈-10 dB,脉冲饱和输出功率Po〉5 W,功率增益GP〉15 dB,典型功率附加效率25%（测试条件为脉宽100μs,占空比10%）。GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点。
- 王会智闫锐刘波冯志红何庆国蔡树军
- 关键词：ALGAN/GAN宽带单片放大器
- 高性能SiC整流二极管研究被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
- 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武
- 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板
