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张海峰

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:国网电力科学研究院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇电容
  • 1篇电容型
  • 1篇限流
  • 1篇限流保护
  • 1篇密勒
  • 1篇密勒补偿
  • 1篇功耗
  • 1篇高线性
  • 1篇LDO

机构

  • 1篇国网电力科学...

作者

  • 1篇原义栋
  • 1篇王晋雄
  • 1篇张海峰

传媒

  • 1篇电子技术应用

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种高线性调整率无电容型LDO的设计被引量:2
2012年
提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。
王晋雄原义栋张海峰
关键词:密勒补偿限流保护低功耗
共1页<1>
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