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张海峰
张海峰
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
国网电力科学研究院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王晋雄
国网电力科学研究院
原义栋
国网电力科学研究院
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LDO
机构
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国网电力科学...
作者
1篇
原义栋
1篇
王晋雄
1篇
张海峰
传媒
1篇
电子技术应用
年份
1篇
2012
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一种高线性调整率无电容型LDO的设计
被引量:2
2012年
提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。
王晋雄
原义栋
张海峰
关键词:
密勒补偿
限流保护
低功耗
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