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王保童

作品数：5 被引量：6H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 2个电气工程
  • 2个自动化与计算...
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  • 1个文化科学

主题

  • 7个氧化物半导体
  • 7个阈值电压
  • 7个金属氧化物半...
  • 7个沟道
  • 7个半导体
  • 7个场效应
  • 5个电势
  • 5个晶体管
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  • 4个栅氧化
  • 4个栅氧化层
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  • 4个金属氧化物半...
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机构

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  • 1个芜湖信息技术...

资助

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  • 8个国家教育部博...
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  • 2个安徽省高校省...
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  • 1个安徽省教育厅...
  • 1个安徽省教育厅...
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传媒

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  • 1个传感技术学报
  • 1个微电子学
  • 1个微细加工技术

地区

  • 8个安徽省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
柯导明
供职机构：安徽大学
研究主题：MOSFET 高温 阈值电压 LDMOS CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敏
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：电势 超短 沟道 MOSFET 半解析法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩名君
供职机构：安徽工程大学
研究主题：MOSFET 电势 沟道 TSV 蜂窝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏丹
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：表面势 MOS晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 短沟道效应 短沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
迟晓丽
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：超短 MOSFET 半解析法 沟道 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐春夏
供职机构：安徽大学
研究主题：变步长 LMS 亚阈值 空间电荷区 金属氧化物半导体场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周少阳
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：表面势 MOS晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 短沟道效应 短沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申静
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：表面势 MOS晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 短沟道效应 短沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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