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万军

作品数：43 被引量：34H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

  • 27个电子电信
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  • 2个冶金工程
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主题

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机构

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资助

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传媒

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  • 4个材料保护
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  • 4个功能材料
  • 4个发光学报

地区

  • 30个北京市
  • 3个山东省
共 33 条 记 录，以下是 1-10
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
饶志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李勇滔
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄成强
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 含碳 前驱体 含氮 金属表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李楠
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕树玲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：进气口 进气 躯体 气口 出气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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