- 一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片被引量：6
- 2011年
- 描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关的功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc。
- 郭文婷王文礼王肖莹隋文泉
- 关键词：高隔离度高线性度高功率升压电路
- 单片集成射频微波功率放大器及开关的设计研究
- 无线通信是现代社会的重要组成部分，近年来，随着商用通信和各种民用应用的高速发展，传输信息量不断扩大，各行业对无线通信系统的性能要求不断提高。而传统无线电频谱低端波段趋于饱和，可用带宽太窄，民用通信开始向高端频段发展，如K...
- 王肖莹
- 关键词：功率放大器模块化设计拓扑结构
- 文献传递
- 单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态被引量：1
- 2009年
- 论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势。
- 彭洋洋吴文光王肖莹隋文泉
- 关键词：CMOS毫米波毫米波集成电路通信
