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郭文婷

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇GAAS_P...
  • 1篇移动通信
  • 1篇射频
  • 1篇射频开关
  • 1篇升压
  • 1篇升压电路
  • 1篇通信
  • 1篇线性度
  • 1篇谐波
  • 1篇谐波抑制
  • 1篇晶体管
  • 1篇隔离度
  • 1篇功率
  • 1篇高隔离
  • 1篇高隔离度
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇插入损耗
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇郭文婷
  • 1篇王肖莹
  • 1篇隋文泉
  • 1篇王文礼

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片被引量：6
2011年
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关的功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc。
郭文婷王文礼王肖莹隋文泉
关键词：高隔离度高线性度高功率升压电路
GaAs PHEMT单刀九掷射频开关芯片的设计
本文描述了一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的多波段射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷(SP9T)，可应用于无线通信用户终端收发机前端，能够同时兼容第二代移动通信系统(2G)的GSM网络和第三代移动通信系...
郭文婷
关键词：移动通信射频开关晶体管谐波抑制
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