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王文礼

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇升压
  • 1篇升压电路
  • 1篇线性度
  • 1篇隔离度
  • 1篇功率
  • 1篇高隔离
  • 1篇高隔离度
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇GAAS_P...
  • 1篇插入损耗
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇王肖莹
  • 1篇郭文婷
  • 1篇隋文泉
  • 1篇王文礼

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片被引量：6
2011年
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关的功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc。
郭文婷王文礼王肖莹隋文泉
关键词：高隔离度高线性度高功率升压电路
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共1页<1>
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