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王志明

作品数：3 被引量：15H指数：2
供职机构：上海交通大学微纳科学技术研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重大项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电器
  • 2篇永磁
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳态
  • 2篇微继电器
  • 2篇继电器
  • 2篇MEMS
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇扭摆
  • 1篇扭摆式
  • 1篇纵向驱动
  • 1篇微加工
  • 1篇牺牲
  • 1篇牺牲层
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇姜政
  • 3篇王志明
  • 3篇丁桂甫
  • 2篇冯建智
  • 2篇王艳
  • 1篇顾东华
  • 1篇张东梅
  • 1篇张永华
  • 1篇毛海平
  • 1篇倪志萍

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
叠层光刻胶牺牲层工艺研究被引量：9
2005年
通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题。运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20μm,平面误差不超过3μm的悬空结构。
姜政丁桂甫张永华倪志萍毛海平王志明
关键词：光刻胶牺牲微加工
扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构被引量：6
2006年
在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧触点施加纵向驱动力使之达到30μm的纵向驱动位移,可以实现机构的双稳态姿态切换,可以通过控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩.此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器.
姜政丁桂甫王艳张东梅王志明冯建智
关键词：永磁双稳态MEMS微继电器
纵向驱动MEMS永磁双稳态机构
2005年
在MEMS继电器中引入双稳态机构可以有效地减少功耗。在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后，利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构。该双稳态结构尺寸为1．9mm×1．6mm×0．03mm，通过永磁力实现无功耗姿态保持，对其单侧触点施加纵向驱动力达到15μm的纵向驱动位移可以实现双稳态姿态的切换，控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩。此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器。
姜政丁桂甫王艳顾东华王志明冯建智
关键词：永磁双稳态MEMS微继电器
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