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张雷

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金：山东省科技发展计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学轻工技术与工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇气流分布
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇阻断
  • 1篇位错
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米片
  • 1篇GAN
  • 1篇BCN

机构

  • 3篇山东大学

作者

  • 3篇吴拥中
  • 3篇张雷
  • 3篇郝霄鹏
  • 3篇邵永亮
  • 1篇张浩东
  • 1篇蒋民华

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
物理气相传输法自发成核生长AlN单晶
王国栋吴拥中张雷邵永亮郝霄鹏
BCN纳米片阻断位错HVPE生长高质量GaN单晶
张保国胡海啸吴拥中邵永亮张雷郝霄鹏
HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响被引量：4
2011年
采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果。
张雷邵永亮吴拥中张浩东郝霄鹏蒋民华
关键词：GAN氢化物气相外延气流分布
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