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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇宏模型
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇行为级
  • 1篇行为级模型
  • 1篇栅电荷
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇二阶效应
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真模型
  • 1篇SPICE宏...
  • 1篇VDMOS
  • 1篇FET
  • 1篇HSPICE

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇曾天志
  • 1篇陈林
  • 1篇肖志强
  • 1篇张波
  • 1篇罗萍
  • 1篇蒲奎
  • 1篇向军利
  • 1篇衡草飞
  • 1篇陈万军
  • 1篇赵露

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种功率VDMOS的HSPICE宏模型研究
功率 VDMOS(垂直双扩散 MOSFET)以其高输入阻抗、高功率增益、驱动电路简单和热稳定性好等优点,在高速度和中等功率场合得到了广泛的应用。然而,HSPICE模型库中传统的MOSFET模型都是根据横向结构的小功率MO...
曾天志
文献传递
一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型被引量:2
2006年
提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。
曾天志张波罗萍蒲奎赵露
关键词:功率MOSFET宏模型二阶效应行为级模型
减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量:10
2005年
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。
肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波
关键词:VDMOSFET栅电荷导通电阻
共1页<1>
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