您的位置： 专家智库 > >

向军利

作品数：3 被引量：18H指数：2
供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇栅电荷
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分析
  • 1篇电容
  • 1篇电阻
  • 1篇整流
  • 1篇同步整流
  • 1篇驱动电路
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇二极管
  • 1篇反向恢复
  • 1篇VDMOS
  • 1篇FET
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOS器件

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇向军利
  • 2篇衡草飞
  • 1篇陈林
  • 1篇肖志强
  • 1篇曾天志
  • 1篇罗萍
  • 1篇李肇基
  • 1篇陈万军

传媒

  • 1篇电子质量
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
Power MOSFET栅电荷分析及结构改进被引量：8
2004年
本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。
衡草飞向军利李肇基张波罗萍
关键词：MOS器件MOSFET驱动电路电容电荷分析
减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量：10
2005年
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。
肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波
关键词：VDMOSFET栅电荷导通电阻
功率VDMOSFET体二极管的优化研究
本文在充分了解功率VDMOSFET器件发展状况、分析VDMOSFET器件工作原理的基础上对功率VDMOSFET体二极管进行了优化设计，从调整器件参数方面来优化体二极管，在不改变工艺流程的前提下，得到了较为满意的结果。反向...
向军利
关键词：功率VDMOSFET同步整流反向恢复
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0