衡草飞
- 作品数：4 被引量：19H指数：2
- 供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量：10
- 2005年
- 提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。
- 肖志强向军利衡草飞陈林曾天志陈万军张波
- 关键词：VDMOSFET栅电荷导通电阻
- Power MOSFET栅电荷分析及结构改进被引量：8
- 2004年
- 本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。
- 衡草飞向军利李肇基张波罗萍
- 关键词：MOS器件MOSFET驱动电路电容电荷分析
- 一种新型线性调节器的鲁棒性频率补偿设计被引量：1
- 2005年
- 本文在对线性调节器应用电路和外接电容特性进行分析的基础上,研究了线性调节器的鲁棒性设计,提出了一种不用电容的新型鲁棒性频率补偿方法,大幅降低了芯片面积。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明,该方法保证了线性调节器的稳定性,也明显改善了频率响应特性。
- 郑尧张波李强罗萍衡草飞
- 关键词：线性调节器鲁棒性电容特性应用电路芯片面积瞬态响应
- 低压功率VDMOSFET参数优化及栅电荷研究
- 本论文是与海外某公司合作研究的课题。低压功率 VDMOSFET在开关电源、功率电机控制和桥式电路等应用中十分广泛，以上应用电路都要求功率 MOS具有良好的开关速率和高效性能。本项目主要针对影响器件开关速率和高效性能的反向...
- 衡草飞
- 关键词：参数优化栅电荷
- 文献传递
