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李颖弢

作品数：59 被引量：40H指数：4
供职机构：兰州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 37篇存储器
  • 17篇电极
  • 12篇微电子
  • 8篇电阻
  • 8篇微电子技术
  • 7篇储层
  • 6篇电路
  • 6篇电压
  • 5篇整流特性
  • 5篇负电阻
  • 5篇衬底
  • 5篇串扰
  • 4篇电流
  • 4篇氧化物
  • 4篇阻值
  • 4篇纳米
  • 4篇金属
  • 4篇二极管
  • 4篇非挥发性
  • 4篇非挥发性存储...

机构

  • 38篇中国科学院微...
  • 25篇兰州大学
  • 1篇安徽大学

作者

  • 59篇李颖弢
  • 37篇刘琦
  • 37篇龙世兵
  • 37篇刘明
  • 26篇吕杭炳
  • 19篇张森
  • 19篇王艳
  • 11篇连文泰
  • 7篇张康玮
  • 7篇王明
  • 7篇王琴
  • 6篇左青云
  • 6篇李永刚
  • 5篇李晓燕
  • 5篇王方聪
  • 3篇刘肃
  • 3篇张满红
  • 3篇余兆安
  • 3篇刘璟
  • 3篇李冬梅

传媒

  • 4篇物理与工程
  • 3篇科学通报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 8篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 7篇2014
  • 8篇2013
  • 9篇2012
  • 3篇2011
  • 6篇2009
  • 1篇2007
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改善阻变存储器一致性的方法及其阻变存储器
本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应...
傅丽萍范小龙李颖弢吴泽伟宋小强李晓燕
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编程电阻存储单元的方法和装置
本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存...
刘明连文泰龙世兵刘琦李颖弢张森王艳
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一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器
本发明公开了一种利用新型二维材料提高阻变存储器稳定性的实现方法，是将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间。本发明中将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间，石墨烯可视作氧势垒，在氧离子扩散过程中...
李颖弢李晓燕
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具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括：下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳杨晓一孙鹏霄
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一种存储器器件及其阵列
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种存储器器件及其阵列。该存储器器件由一个肖特基二极管和一个具有双极性电阻转变特性的阻变器件构成，其结构包括：衬底、位于衬底之上的肖特基二极管结构、位于肖特基二极管结构之...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳王明张康玮
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一种基于PI控制的低值电阻测量电路
发明公开了一种基于分段PI控制的低值电阻测量电路，属于电路设计领域。该电路包含基本的电压检测元件、电压控制的电压源(VCVS)、滤波单元、分段PI控制单元、若干电阻、直流电压源。PI控制单元接收来自电压检测元件的电压信号...
李颖弢田力学霍显杰张祎崔滕虎王方聪
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一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述自整流特性阻变存储器包括上电极、下电极、阻变材料层以及非晶硅层，具有双极型转变特性，同时在低阻态呈现出正负不对称的整流特性。本发...
吕杭炳刘明刘琦李颖弢龙世兵
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一种存储器器件
本发明公开了一种存储器器件，属于微电子技术以及存储器器件技术领域。该存储器器件结构由阻变存储单元和位于阻变存储单元之上的选择单元构成。其中，阻变存储单元结构包括：底层电极、位于底层电极之上的阻变存储层、位于阻变存储层之上...
刘明李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦
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一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，涉及微电子以及存储器技术领域。本发明提出的阻变存储器的结构包括：衬底；形成于衬底之上的下电极；形成于下电极之上的第一功能层薄膜；形成于第一功能层薄膜之上的中间电极；形成于中间电极之...
刘明李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦王明张康玮
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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