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王国斌
作品数:
14
被引量:5
H指数:1
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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相关领域:
文化科学
电子电信
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合作作者
张永红
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
朱建军
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
邱凯
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王怀兵
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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氮化物同质外延的原位检测系统及方法
本发明公开了一种氮化物同质外延的原位检测系统及方法。所述的方法包括:在第一半导体层上同质外延生长第二半导体层时,同时以第一、第二入射光持续照射第二半导体层的表面,并使第一入射光在所述第二半导体层的表面被散射,以产生第一散...
王国斌
张育民
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徐科
一种垂直喷淋式MOCVD反应器
本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器,包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口,用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内,其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域...
王国斌
张永红
王怀兵
邱凯
朱建军
张宝顺
杨辉
文献传递
用于均匀出气的气体分配器
本发明涉及一种用于均匀出气的气体分配器,其一般设置在化学气相淀积设备上的进气段,用来为反应室提供均匀一致的进气。该气体分配器包括相互连通的至少一路进气管和二个以上密闭气体分配腔,所述进气管和气体分配腔沿气流运行方向依次固...
王国斌
邱凯
朱建军
张永红
MOCVD生长GaN薄膜的仿真
根据现行氮化镓金属有机物化学气相沉积的生长动力学理论,结合商用垂直喷淋式反应器,运用计算流体力学方法,耦合化学反应动力学和输运过程,对GaN MOCVD生长过程进行全面的仿真。计算得到了相关场、反应产物以及生长速率、寄生...
王国斌
张永红
邱凯
王怀兵
张宝顺
杨辉
关键词:
GAN生长
MOCVD
生长速率
计算机仿真
用于均匀出气的气体分配器
本发明涉及一种用于均匀出气的气体分配器,其一般设置在化学气相淀积设备上的进气段,用来为反应室提供均匀一致的进气。该气体分配器包括相互连通的至少一路进气管和二个以上密闭气体分配腔,所述进气管和气体分配腔沿气流运行方向依次固...
王国斌
邱凯
朱建军
张永红
文献传递
用于化学气相沉积设备中的气体墙结构
本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周...
王国斌
朱建军
邱凯
张永红
用于化学气相沉积设备中的气体墙结构
本实用新型涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括...
王国斌
朱建军
邱凯
张永红
文献传递
用于均匀出气的气体分配器
本实用新型涉及一种用于均匀出气的气体分配器,其一般设置在化学气相淀积设备上的进气段,用来为反应室提供均匀一致的进气。该气体分配器包括相互连通的至少一路进气管和二个以上密闭气体分配腔,所述进气管和气体分配腔沿气流运行方向依...
王国斌
邱凯
朱建军
张永红
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用于化学气相沉积设备中的气体墙结构
本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周...
王国斌
朱建军
邱凯
张永红
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化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构
本发明涉及一种化学气相沉积外延设备用的喷淋头结构,它包括层叠设置的上层进气层、至少一中间进气层和下层冷却层;上层进气层中设有上层进气槽,该上层进气槽与至少一上层进口管和至少一上层出口管连通,上层出口管上端与上层进气槽连通...
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