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作者

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传媒

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  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2011
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量:3
2022年
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210~220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。
杨大宝赵向阳刘波刘波邢东
关键词:单片集成电路肖特基二极管变频损耗
可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
本文基于半导体工艺,制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管,通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极,制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)...
王俊龙邢东梁士雄张立森杨大宝吕元杰宋旭波何泽召冯志红
关键词:性能表征半导体工艺
文献传递
In_(0.17)Al_(0.83)N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究
2013年
介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀。这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑。随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀。AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关。这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用。
邢东冯志红王晶晶刘波尹甲运房玉龙
关键词:碱性溶液牺牲层
In0.17AlN在碱性溶液中化学湿法腐蚀行为研究
本文报道了In0.17Al0.83N在5wt% KOH碱性溶液中的腐蚀行为研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是源于晶体缺陷的腐蚀,在In0.17Al0.83N中形成缺陷...
Xing Dong邢东Feng Zhihong冯志红Wang Jingjing王晶晶Liu Bo刘波Yin Jiayun尹甲云Fang Yulong房玉龙
关键词:宽禁带半导体碱性溶液
GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片被引量:1
2022年
针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究。通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温。对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管。分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比。测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs/AlN异构集成二极管的倍频器输入功率提高到316 mW,输出功率为72.4 mW。肖特基二极管由GaAs衬底替换为AlN衬底后耐受功率(输入功率)提高了约58%,倍频效率由21.8%提升至22.9%,输出功率也相应提升,验证了相比GaAs衬底肖特基二极管,GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管的散热性能及耐受功率具有明显的优越性。
田爱华邢东邢东邢东赵向阳冯志红
关键词:太赫兹异构集成肖特基二极管热分析倍频器
一种求解InP HEMT重掺帽层方阻的模型
本文建立了重掺n+帽层的InP HEMT的TLM电阻模型,利用易于测得的含帽层等效沟道方阻Rshw和无帽层沟道方阻Rchannelw,以及公式推出重掺帽层的方阻RcapW 。通过Sentaurus仿真验证该模型的准确性,...
王元刚张立森邢东敦少博吕元杰徐鹏冯志红
关键词:高电子迁移率晶体管
文献传递
阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管被引量:7
2013年
研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7~8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。
邢东冯志红王俊龙张士祖梁士雄张立森宋旭波蔡树军
关键词:太赫兹寄生电容串联电阻
基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器
2014年
设计和制造了一种高效高功率的220GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上。使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化,首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型,再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能。在210~230GHz的频带范围内,220GHz倍频器在20mW固定功率输入条件下测试,功率输出大于0.5mw;在100mw固定功率注入时,整个20GHz频带范围内功率输出大于2.1mW,在214GHz处输出峰值功率5mW,效率为5%。反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式,这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上,利于散热。220GHz倍频器的研制成功,证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力,其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义。
杨大宝王俊龙邢东梁士雄张立森冯志红
关键词:GHZ毫米波肖特基势垒二极管倍频器
复栅结构HEMT太赫兹探测器研究
太赫兹频段是对一个特定波段电磁频率的统称,它在电磁波谱中位于微波和红外辐射之间.太赫兹与微波毫米波相比,具有超高频性、透视性、安全性等特点.太赫兹探测器是太赫兹技术的核心器件之一,现有的超导、热电子辐射等太赫兹探测器普遍...
梁士雄邢东张立森王俊龙杨大宝冯志红
共1页<1>
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