2025年1月14日
星期二
|
欢迎来到海南省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
您的位置:
专家智库
>
作者详情
>
赵超
赵超
作品数:
565
被引量:35
H指数:4
供职机构:
清华大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家社会科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
理学
更多>>
合作作者
李俊峰
清华大学
罗军
中国科学院微电子研究所
殷华湘
清华大学
钟汇才
中国科学院微电子研究所
王桂磊
中国科学院微电子研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
题名
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
540篇
专利
17篇
期刊文章
5篇
会议论文
1篇
学位论文
1篇
科技成果
领域
51篇
电子电信
12篇
一般工业技术
10篇
自动化与计算...
5篇
文化科学
5篇
理学
4篇
机械工程
3篇
交通运输工程
2篇
经济管理
2篇
金属学及工艺
2篇
电气工程
2篇
艺术
1篇
生物学
1篇
矿业工程
主题
210篇
半导体
164篇
半导体器件
104篇
栅极
99篇
刻蚀
94篇
衬底
71篇
沟道
70篇
硅化物
64篇
金属硅化物
55篇
介质层
55篇
金属栅
50篇
电阻
46篇
侧墙
45篇
平坦化
44篇
阻挡层
43篇
纳米
41篇
迁移率
41篇
金属
41篇
晶体管
36篇
鳍片
33篇
金属栅极
机构
541篇
中国科学院微...
24篇
清华大学
5篇
宝洁公司
3篇
安徽大学
3篇
中国科学院大...
2篇
江南大学
2篇
中国科学技术...
1篇
教育部
1篇
重庆大学
1篇
悉尼科技大学
1篇
北京博奥生物...
作者
564篇
赵超
227篇
李俊峰
154篇
罗军
131篇
殷华湘
106篇
钟汇才
88篇
王桂磊
79篇
杨涛
73篇
朱慧珑
58篇
王文武
58篇
陈大鹏
55篇
秦长亮
40篇
梁擎擎
39篇
崔虎山
34篇
闫江
33篇
李春龙
31篇
洪培真
30篇
叶甜春
23篇
邓坚
23篇
高建峰
22篇
徐秋霞
传媒
4篇
微纳电子技术
1篇
半导体技术
1篇
技术经济与管...
1篇
汽车工程
1篇
装饰
1篇
机械工程学报
1篇
高科技与产业...
1篇
传感技术学报
1篇
中国科技成果
1篇
工业设计
1篇
设计
1篇
真空科学与技...
1篇
中国科学:生...
1篇
艺术设计研究
年份
4篇
2024
9篇
2023
3篇
2022
18篇
2021
25篇
2020
60篇
2019
41篇
2018
67篇
2017
107篇
2016
62篇
2015
67篇
2014
42篇
2013
57篇
2012
1篇
2006
1篇
2004
共
565
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效排序
CMOS工艺兼容的硅光子工艺与材料探讨(invited)
李志华
张鹏
李彬
唐波
赵超
一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法
本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法,包括:提供衬底,所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域,所述NMOS区域和所述PMOS区域上均设置有金属栅叠层;沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层;退火扩散所述牺牲层中的掺杂...
殷华湘
张青竹
赵超
叶甜春
文献传递
用于吸收制品的零售包装件
本实用新型题为“用于吸收制品的零售包装件”。本实用新型公开了一种用于吸收制品的零售包装件,所述零售包装件包括:容纳吸收制品的第一初级包装件的第一隔室;容纳吸收制品的第二初级包装件的第二隔室;闭合装置,所述闭合装置用于提供...
赵超
刘振生
孙雪娇
王开天
纪璐
J·O·加瓦安
杜旻辰
A·曼达尔
陈婕
M·A·桑顿
文献传递
锗基光波导及其制备方法
本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1,在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层,第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠;S2,在第二氮化硅层中形成与锗...
熊文娟
李俊峰
王桂磊
赵雪薇
赵超
亨利·H·阿达姆松
文献传递
一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片
本发明提供了一种金属纳米线或片的制作方法,包括首先在衬底上依次交替生长若干层第一薄膜和第二薄膜,在顶层第二薄膜上涂覆光阻层;在光阻层上光刻出两端为平板区域中间有若干线条连接的图形;刻蚀第一薄膜和第二薄膜形成上述图形;去除...
李俊杰
刘耀东
周娜
王桂磊
高建峰
李永亮
罗军
赵超
王文武
文献传递
一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法
本发明提供了一种Fin‑FET的沟槽隔离的形成方法,包括:在衬底上形成硬掩膜;刻蚀衬底以形成鳍;去除硬掩膜;填充隔离材料并进行平坦化;刻蚀去除部分厚度的隔离材料,以形成沟槽隔离。在刻蚀衬底形成鳍之后,就去除硬掩膜,避免了...
杨涛
卢一泓
张月
崔虎山
李俊峰
赵超
文献传递
鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有鳍及隔离层;覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层;沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀,直至暴露隔离层,以形成开口;进行填充,以在开口中形成假栅;去除掩...
洪培真
殷华湘
朱慧珑
刘青
李俊峰
赵超
尹海洲
文献传递
提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法
一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法,在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前,对氧化硅层的凸出部分进行倾角离子注入,利用离子注入的能量效应对氧化硅成键状态进行破坏,因此在随后针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺中...
杨涛
刘金彪
赵超
一种垂直TFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直TFET及其制造方法,该方法包括:形成台阶结构的绝缘介质层;在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成第一栅极侧墙,并沉积第一栅介质层;在所述第一栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区;在所述二维材料层上沉积第二栅介...
秦长亮
殷华湘
李俊峰
赵超
刘实
鳍结构及其制造方法
本发明提出了一种鳍结构的制造方法,包括步骤:提供硅衬底;在硅衬底的表面上形成孔;在硅衬底上形成外延的鳍,该鳍包括III族或V族的半导体材料层。本发明中的孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形,在其上形成不同族的外延的鳍后,可...
钟汇才
罗军
赵超
朱慧珑
文献传递
全选
清除
导出
共57页
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张