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赵超

作品数:565 被引量:35H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家社会科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 540篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 51篇电子电信
  • 12篇一般工业技术
  • 10篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 5篇理学
  • 4篇机械工程
  • 3篇交通运输工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇艺术
  • 1篇生物学
  • 1篇矿业工程

主题

  • 210篇半导体
  • 164篇半导体器件
  • 104篇栅极
  • 99篇刻蚀
  • 94篇衬底
  • 71篇沟道
  • 70篇硅化物
  • 64篇金属硅化物
  • 55篇介质层
  • 55篇金属栅
  • 50篇电阻
  • 46篇侧墙
  • 45篇平坦化
  • 44篇阻挡层
  • 43篇纳米
  • 41篇迁移率
  • 41篇金属
  • 41篇晶体管
  • 36篇鳍片
  • 33篇金属栅极

机构

  • 541篇中国科学院微...
  • 24篇清华大学
  • 5篇宝洁公司
  • 3篇安徽大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇江南大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇教育部
  • 1篇重庆大学
  • 1篇悉尼科技大学
  • 1篇北京博奥生物...

作者

  • 564篇赵超
  • 227篇李俊峰
  • 154篇罗军
  • 131篇殷华湘
  • 106篇钟汇才
  • 88篇王桂磊
  • 79篇杨涛
  • 73篇朱慧珑
  • 58篇王文武
  • 58篇陈大鹏
  • 55篇秦长亮
  • 40篇梁擎擎
  • 39篇崔虎山
  • 34篇闫江
  • 33篇李春龙
  • 31篇洪培真
  • 30篇叶甜春
  • 23篇邓坚
  • 23篇高建峰
  • 22篇徐秋霞

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇技术经济与管...
  • 1篇汽车工程
  • 1篇装饰
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇高科技与产业...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇工业设计
  • 1篇设计
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国科学:生...
  • 1篇艺术设计研究

年份

  • 4篇2024
  • 9篇2023
  • 3篇2022
  • 18篇2021
  • 25篇2020
  • 60篇2019
  • 41篇2018
  • 67篇2017
  • 107篇2016
  • 62篇2015
  • 67篇2014
  • 42篇2013
  • 57篇2012
  • 1篇2006
  • 1篇2004
565 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CMOS工艺兼容的硅光子工艺与材料探讨(invited)
李志华张鹏李彬唐波赵超
一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法
本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法,包括:提供衬底,所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域,所述NMOS区域和所述PMOS区域上均设置有金属栅叠层;沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层;退火扩散所述牺牲层中的掺杂...
殷华湘张青竹赵超叶甜春
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用于吸收制品的零售包装件
本实用新型题为“用于吸收制品的零售包装件”。本实用新型公开了一种用于吸收制品的零售包装件,所述零售包装件包括:容纳吸收制品的第一初级包装件的第一隔室;容纳吸收制品的第二初级包装件的第二隔室;闭合装置,所述闭合装置用于提供...
赵超刘振生孙雪娇王开天纪璐J·O·加瓦安杜旻辰A·曼达尔陈婕M·A·桑顿
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锗基光波导及其制备方法
本发明提供了一种锗基光波导及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1,在第一衬底上顺序形成第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层,第一氮化硅层、锗籽晶层和第二氮化硅层沿远离衬底的方向顺序层叠;S2,在第二氮化硅层中形成与锗...
熊文娟李俊峰王桂磊赵雪薇赵超亨利·H·阿达姆松
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一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片
本发明提供了一种金属纳米线或片的制作方法,包括首先在衬底上依次交替生长若干层第一薄膜和第二薄膜,在顶层第二薄膜上涂覆光阻层;在光阻层上光刻出两端为平板区域中间有若干线条连接的图形;刻蚀第一薄膜和第二薄膜形成上述图形;去除...
李俊杰刘耀东周娜王桂磊高建峰李永亮罗军赵超王文武
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一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法
本发明提供了一种Fin‑FET的沟槽隔离的形成方法,包括:在衬底上形成硬掩膜;刻蚀衬底以形成鳍;去除硬掩膜;填充隔离材料并进行平坦化;刻蚀去除部分厚度的隔离材料,以形成沟槽隔离。在刻蚀衬底形成鳍之后,就去除硬掩膜,避免了...
杨涛卢一泓张月崔虎山李俊峰赵超
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鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有鳍及隔离层;覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层;沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀,直至暴露隔离层,以形成开口;进行填充,以在开口中形成假栅;去除掩...
洪培真殷华湘朱慧珑刘青李俊峰赵超尹海洲
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提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法
一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法,在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前,对氧化硅层的凸出部分进行倾角离子注入,利用离子注入的能量效应对氧化硅成键状态进行破坏,因此在随后针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺中...
杨涛刘金彪赵超
一种垂直TFET及其制造方法
本发明公开了一种垂直TFET及其制造方法,该方法包括:形成台阶结构的绝缘介质层;在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成第一栅极侧墙,并沉积第一栅介质层;在所述第一栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区;在所述二维材料层上沉积第二栅介...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超刘实
鳍结构及其制造方法
本发明提出了一种鳍结构的制造方法,包括步骤:提供硅衬底;在硅衬底的表面上形成孔;在硅衬底上形成外延的鳍,该鳍包括III族或V族的半导体材料层。本发明中的孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形,在其上形成不同族的外延的鳍后,可...
钟汇才罗军赵超朱慧珑
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共57页<12345678910>
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