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罗军

作品数:465 被引量:33H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

文献类型

  • 439篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 129篇电子电信
  • 21篇自动化与计算...
  • 15篇一般工业技术
  • 7篇建筑科学
  • 7篇交通运输工程
  • 7篇文化科学
  • 6篇理学
  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 2篇矿业工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇生物学
  • 1篇水利工程

主题

  • 202篇半导体
  • 150篇半导体器件
  • 83篇硅化物
  • 80篇沟道
  • 76篇晶体管
  • 73篇衬底
  • 72篇金属硅化物
  • 56篇电阻
  • 48篇介质层
  • 48篇刻蚀
  • 41篇势垒
  • 35篇栅极
  • 35篇隧道结
  • 33篇肖特基
  • 33篇纳米
  • 33篇化物
  • 32篇侧墙
  • 31篇肖特基势垒
  • 30篇导体
  • 29篇源区

机构

  • 465篇中国科学院微...
  • 13篇中国科学院大...
  • 11篇广东省大湾区...
  • 4篇安徽大学
  • 3篇中芯国际集成...
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇有研科技集团...

作者

  • 465篇罗军
  • 154篇赵超
  • 123篇李俊峰
  • 90篇许静
  • 79篇王文武
  • 78篇钟汇才
  • 63篇李永亮
  • 62篇朱慧珑
  • 53篇杨涛
  • 46篇李俊杰
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  • 43篇高建峰
  • 39篇刘金彪
  • 31篇贺晓彬
  • 30篇毛淑娟
  • 28篇叶甜春
  • 26篇王桂磊
  • 23篇邓坚
  • 19篇梁擎擎
  • 19篇陈大鹏

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 6篇微纳电子技术
  • 2篇微电子学
  • 1篇材料导报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇光通信研究
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国科学:生...
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇前瞻科技
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 60篇2024
  • 76篇2023
  • 47篇2022
  • 51篇2021
  • 21篇2020
  • 46篇2019
  • 13篇2018
  • 14篇2017
  • 34篇2016
  • 28篇2015
  • 26篇2014
  • 29篇2013
  • 20篇2012
465 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法
本发明涉及一种形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。形成源/漏接触的方法:刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔,所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面,所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面;在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内...
刘金彪罗军李俊峰叶甜春
一种半导体器件的制造方法
本发明公开一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,用于解决器件结构为环栅晶体管的核心器件与输入/输出器件的兼容性较差的问题。上述制造方法包括:在衬底上形成结构相同的第一鳍部和第二鳍部。形成至少覆盖在第一鳍部和第二鳍...
李永亮陈安澜程晓红罗军王文武
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,以防止寄生沟道漏电,提高半导体器件的电学性能。半导体器件包括半导体基底、有源结构、栅堆叠结构、内侧墙和绝缘隔离结构。上述有源结构设置在半导体基底上。有源结构包括源...
李永亮张曦许静罗军
一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构
本发明公开了一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构,涉及深紫外光刻技术领域,以提供一种当衬底具有较高的台阶时,采用深紫外光刻工艺仍能正常进行曝光技术方案。包括以下步骤:当所述深紫外光刻的景深小于所述衬底的台阶的高度时...
贺晓彬李俊峰李亭亭刘金彪高建峰杨涛罗军
一种非对称结构微流体混合器的设计与分析被引量:4
2014年
微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点。在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分离重组结构的微流体混合器,并应用有限元方法建立了仿真模型,讨论了在不同雷诺数(Re=10~80)下,通道几何结构参数对微混合器内的流体流动特性和混合效率的影响。研究结果表明,微流体在该混合器内形成了扩展涡、分离涡和迪恩(Dean)涡,实现了涡系的叠加和强化,加大了流体间的扰动,增加了流体的接触面积,从而大大增强了混合效率。
荣波李民权黄成军赵超罗军
关键词:雷诺数有限元方法
一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备
本发明公开一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备,涉及半导体技术领域,以简化现有的SADP工艺的步骤,降低工艺成本。所述自对准双重图形化的方法包括:在基底上依次形成硬掩模层和电子束负胶层。通过电子束对电子束负胶...
贺晓彬杨涛刘金彪李亭亭高建峰李俊峰罗军
肖特基势垒晶体管及其制备方法
本发明提供了一种肖特基势垒晶体管及其制备方法。该肖特基势垒晶体管包括衬底以及位于衬底上的栅极结构,肖特基势垒晶体管还包括:沟道区,位于与栅极结构对应的衬底表面上,沟道区包括第一金属硅化物层;源漏区,包括位于沟道区两侧的第...
罗军毛淑娟许静
一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法
本发明公开一种合束装置、激光加工设备和激光退火方法,涉及激光退火技术领域,用于降低激光退火时工艺区和非工艺区之间热预算差。所述合束装置用于对波长不同的预热光束和工艺光束进行合束,包括光束整形元件和半透半反光学元件;所述光...
刘金彪罗军李俊峰贺晓彬
文献传递
一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片
提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤:在半导体衬底上确定有源区,在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区,所述主侧墙环绕所述栅叠层,所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准...
尹海洲罗军朱慧珑骆志炯
文献传递
侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件
本公开提供了一种侧墙形成方法和包括侧墙的半导体器件。一示例方法可以包括:在衬底上形成鳍;在衬底上形成与鳍相交的栅堆叠;在衬底上共形淀积第一介质层,覆盖鳍和栅堆叠;在第一介质层上共形淀积第二介质层;对第二介质层进行各向异性...
钟汇才罗军殷华湘朱慧珑
文献传递
共47页<12345678910>
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