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秦龙

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇比接触电阻
  • 1篇NI
  • 1篇N型
  • 1篇PT
  • 1篇TI

机构

  • 1篇河北半导体研...

作者

  • 1篇杨勇
  • 1篇邓建国
  • 1篇秦龙
  • 1篇刘英坤

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)被引量：2
2014年
研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4HSiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。
秦龙刘英坤杨勇邓建国
关键词：欧姆接触NIPT比接触电阻
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