刘英坤
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)被引量：2
- 2014年
- 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4HSiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。
- 秦龙刘英坤杨勇邓建国
- 关键词：欧姆接触NIPT比接触电阻
- 屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制被引量：1
- 2013年
- 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。
- 李飞刘英坤邓建国胡顺欣孙艳玲
- 高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
- 2009年
- 研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象。器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz。
- 田爱华崔占东赵彤刘英坤
- 关键词：4H-碳化硅双极晶体管电流增益截止频率
- 1GHz CW 100W LDMOSFET研制
- 简要介绍了微波功率LDMOSFET的优点、应用领域和当前的研究现状.报道了采用难熔金属Mo栅工艺技术,设计研制出的高性能微波功率LDMOSFET.
- 刘英坤邓建国郎秀兰张颖秋吴坚李明月
- 关键词：微波功率沟道长度功率增益
- 文献传递
- 功率MOSFET抗辐照性能初探被引量：1
- 1989年
- 本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计原则和加同工艺技术。
- 刘英坤赵丽华
- 关键词：功率MOSFET辐照MOS器件
