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n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)被引量：2: 2014年; 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4HSiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。; 秦龙刘英坤杨勇邓建国; 关键词：欧姆接触 NI PT 比接触电阻

半导体切断开关器件: 简要论述了一种半导体切断开关器件SOS(Silicon Opening Switch).概述了该器件的工作原理、应用领域和目前研究的结果.该器件可以通过简单的串、并联构成组件,满足脉冲功率技术领域电感储能系统开关工作的需...; 赵彤杨勇刘忠山崔占东; 关键词：半导体脉冲功率泵浦方式; 文献传递

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杨勇